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ST STW43NM60ND

Name: STW43NM60ND
Rating: 4.5 (10 reviews)

STW43NM60ND is an N-Channel power MOSFET with a 600 V rating and 88 mΩ on-resistance in a TO-247 package

브랜드: Stmicroelectronics

제조업체부품 #: STW43NM60ND

데이터 시트: STW43NM60ND Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TO-247-3

RoHS 상태:

재고상태: 2,545 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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STW43NM60ND 일반적인 설명

Featuring a N Channel design, the STW43NM60ND MOSFET offers a high drain source voltage of 600V and a continuous drain current of 35A, making it ideal for various power applications. The low on resistance of 0.075ohm and threshold voltage of 4V ensure efficient operation and reliable performance under different operating conditions. With a power dissipation of 255W and an operating temperature range from -55°C to +150°C, this transistor is suitable for demanding environments where high power handling capabilities are essential. The TO-247 case style provides easy mounting and heat dissipation for optimal performance, while the absence of SVHC substances ensures environmental compliance and safety

특징

High-speed switching capability
Low noise and high efficiency
Rugged and reliable performance
Compact size and low profile
Ergonomic design for easy handling
Fast recovery time for reduced stress

애플리케이션

High power applications
Compact size
Low switching losses

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-247-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	35 A	Rds On - Drain-Source Resistance	88 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 25 V, + 25 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	255 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	FDmesh
Series	STW43NM60ND	Brand	STMicroelectronics
Configuration	Single	Fall Time	50 ns
Height	20.15 mm	Length	15.75 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	40 ns
Factory Pack Quantity	600	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	120 ns
Typical Turn-On Delay Time	30 ns	Width	5.15 mm
Unit Weight	0.211644 oz

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단계1 :제품
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등가 부품

에 대한 STW43NM60ND 구성 요소인 경우 이러한 교체 및 대체 부품을 고려할 수 있습니다.:

부품 번호

브랜드

패키지

설명

부품 번호 : STW40N60M2

브랜드 :

패키지 : TO-247-3

설명 : Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

부품 번호 : IRFP460

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 번호 : IRFPG50

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 번호 : AOTF60SM60N

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 번호 : FGA60N65SMD

브랜드 :

패키지 : TO-3P

설명 : IGBT Transistors 650V, 60A Field Stop IGBT

부품 번호 : IPP60R099CPXKSA1

브랜드 :

패키지 : TO-220-3

설명 : N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V CoolMOS CP, 3-Pin TO-220 Infineon

부품 번호 : IXTH39N60AU1

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 번호 : 1MBI600U4B-120

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 포인트

The STW43NM60ND is a power MOSFET semiconductor chip commonly used in various electronic applications, such as power supplies, motor drives, and lighting systems. It has a high voltage rating of 600V and a high current handling capability. The chip offers low on-resistance and excellent thermal performance, making it suitable for high-power applications.
Equivalent

Some equivalent products of the STW43NM60ND chip include the IRF540N, the STB55NF06L, and the FQP47P06.
Features

STW43NM60ND is a power MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 43A. It has an RDS(on) of 0.025 ohms, making it suitable for high-efficiency applications. This device also features a fast switching performance and low gate charge, enhancing its overall performance.
Pinout

The STW43NM60ND is a power MOSFET with a TO-247 package. It has three pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin is used to control the MOSFET, the Drain pin is the high-side power terminal, and the Source pin is the low-side power terminal.
Manufacturer

The manufacturer of the STW43NM60ND is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor company headquartered in Switzerland.
Application Field

The STW43NM60ND is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) that can be used in various applications such as motor control, power supplies, lighting, and industrial automation. It provides high voltage and current capabilities, making it suitable for these applications.