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Infineon SPP11N65C3

Name: SPP11N65C3
Rating: 4.5 (6 reviews)

High voltage N-channel MOSFET

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: SPP11N65C3

데이터 시트: SPP11N65C3 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TO-220

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3426 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SPP11N65C3 일반적인 설명

SPP11N65C3 is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) power transistor designed for high performance and efficiency in power applications. It has a maximum drain-source voltage (VDS) of 650V and a continuous drain current (ID) of 11A. The on-state resistance (RDS(on)) is typically 0.5 ohms, which helps to minimize power losses and improve efficiency.This MOSFET also features a fast switching speed, which makes it suitable for applications that require high-frequency operation. The gate charge (Qg) is around 49nC, ensuring quick and reliable switching performance.The SPP11N65C3 is housed in a TO-220 package, which provides thermal stability and easy mounting on a PCB. It also has a low thermal resistance, which helps to dissipate heat efficiently and maintain a stable operating temperature.

특징

650V breakdown voltage
11A continuous drain current
Low on-resistance of 0.65 ohms
High-speed switching performance
Enhanced switching reliability
Low gate charge for efficient operation

애플리케이션

Switched-mode power supplies
Motor control applications
Lighting systems
Consumer electronics
Industrial applications
Automotive systems
Power factor correction
Solar inverters
UPS (Uninterruptible Power Supplies)
High power density converters

명세서

매개변수	값	매개변수	값
RthJC max	1.0 K/W	VGS(th) max	3.9 V
VGS(th) min	2.1 V	IDpuls max	33.0 A
RthJA max	62.0 K/W	Operating Temperature min	-55.0 °C
Ptot max	125.0 W	VDS max	650.0 V
Mounting	THT	Mode	Enhancement
Package	TO-220	Polarity	N
ID max	11.0 A

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부품 포인트

The SPP11N65C3 chip is a power MOSFET designed for high-performance applications. It offers low on-resistance and high switching speeds, making it suitable for various power management tasks. The chip has a voltage rating of 650V and can handle current up to 11A. It is commonly used in industrial and automotive applications where efficient power control is required.
Features

SPP11N65C3 is a power MOSFET transistor that offers a low on-resistance and high switching performance. It has a drain-source voltage of 650V, a maximum drain current of 11A, and a minimum threshold voltage of 3V. The transistor is suitable for various power applications such as motor control, high-frequency converters, and power supplies.
Pinout

The SPP11N65C3 is a power MOSFET with a TO-220 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the switching action, while the Drain and Source pins handle the flow of current. This MOSFET is designed for high-power applications.
Manufacturer

Infineon Technologies AG is the manufacturer of the SPP11N65C3. It is a German semiconductor manufacturing company specializing in the production of power semiconductors and system solutions.
Application Field

The SPP11N65C3 is a power MOSFET transistor primarily used in high-performance switching applications such as power supplies, motor control, and inverter systems.
Package

The package type of the SPP11N65C3 chip is TO220-3 MOSFET. The form of the chip is through-hole. The size of the chip is approximately 10.67 mm x 9.78 mm x 4.83 mm.