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SIA931DJ-T1-GE3

Name: SIA931DJ-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

브랜드: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

제조업체부품 #: SIA931DJ-T1-GE3

데이터 시트: SIA931DJ-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SC-70-6

상품 유형: FET, MOSFET Arrays

RoHS 상태:

재고상태: 5,805 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SIA931DJ-T1-GE3 일반적인 설명

Mosfet Array 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

특징

Silicon carbide substrate
Low on-resistance
Rugged and reliable performance

애플리케이션

SWITCHING

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Ihs Manufacturer	VISHAY INTERTECHNOLOGY INC	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	68 Weeks
Samacsys Manufacturer	Vishay	Case Connection	DRAIN
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	30 V
Drain Current-Max (ID)	4.5 A	Drain-source On Resistance-Max	0.065 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	45 pF
JESD-30 Code	S-PDSO-N6	Number of Elements	2
Number of Terminals	6	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Shape	SQUARE
Package Style	SMALL OUTLINE	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	7.8 W
Surface Mount	YES	Terminal Form	NO LEAD
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The SIA931DJ-T1-GE3 is a dual-channel high-speed comparator IC with a built-in reference voltage. It is designed for use in various applications such as voltage monitoring, level shifting, and signal conditioning. This chip offers a fast response time, low power consumption, and a wide input voltage range, making it suitable for use in a wide range of electronic devices.
Equivalent

The equivalent products of SIA931DJ-T1-GE3 chip are Infineon BSC883N10NS3G, Vishay SIR877DP-T1-GE3, and ON Semiconductor FDMF3035. These chips are also MOSFETs used for power management applications in electronic devices.
Features

SIA931DJ-T1-GE3 is a Dual P-Channel 30 V MOSFET with integrated ESD protection. It has low on-resistance, high continuous drain current, and high ESD protection levels. This MOSFET is suitable for portable electronics, battery management systems, and load switches.
Pinout

The SIA931DJ-T1-GE3 is a dual low-side power switch with a 8-pin configuration. It is designed for power distribution and load switching in automotive applications. It can handle a maximum load current of 2A per channel.
Manufacturer

The manufacturer of SIA931DJ-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a semiconductor company that specializes in the design and production of a wide range of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Siliconix is known for its high-quality products that are widely used in various industries such as automotive, telecommunications, and consumer electronics.
Application Field

SIA931DJ-T1-GE3 is commonly used in voltage level shifting, level translation, and signal isolation applications. It is frequently used in industrial automation, automotive electronics, power systems, communication equipment, and medical devices to isolate and protect sensitive components and ensure reliable data transmission.
Package

The SIA931DJ-T1-GE3 chip is available in a surface-mount package type with a form factor of SOIC-8. Its dimensions are 4.9mm x 3.9mm x 1.65mm.