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vishay SIA517DJ-T1-GE3
Transistor with N/P-MOSFET technology
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SIA517DJ-T1-GE3
데이터 시트: SIA517DJ-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SC-70-6
RoHS 상태:
재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본
상품 유형: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 5 | $0.211 | $1.055 |
| 50 | $0.183 | $9.150 |
| 150 | $0.171 | $25.650 |
| 500 | $0.156 | $78.000 |
| 3000 | $0.150 | $450.000 |
| 6000 | $0.146 | $876.000 |
재고: 9,458 PCS
SIA517DJ-T1-GE3 일반적인 설명
Product SIA517DJ-T1-GE3 is a small signal field-effect transistor, designed with a high current rating of 4.5A I(D) and a maximum voltage of 12V. It features 2 elements, including an N-channel and a P-channel, making it versatile for various applications. Constructed with silicon and metal-oxide semiconductor materials, this transistor offers reliable performance and durability
특징
애플리케이션
Load Switch for Portable Devices명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-70-6 | Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
| Id - Continuous Drain Current | 4.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 29 mOhms, 61 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV |
| Qg - Gate Charge | 15 nC, 20 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 6.5 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET, PowerPAK |
| Series | SIA | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Dual | Fall Time | 10 ns, 20 ns |
| Forward Transconductance - Min | 21 S, 11 S | Height | 0.75 mm |
| Length | 2.05 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 10 ns, 25 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns, 30 ns | Typical Turn-On Delay Time | 10 ns, 30 ns |
| Width | 2.05 mm | Part # Aliases | SIA517DJ-GE3 |
| Unit Weight | 0.000988 oz |
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| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
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부품 포인트
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The SIA517DJ-T1-GE3 is a high-performance, low capacitance TVS diode array designed to protect sensitive electronics from electrostatic discharge (ESD) and voltage transients. It features a 5.5V working voltage and ultra-low clamping voltage, making it ideal for applications such as smartphones, tablets, and portable electronics.
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Equivalent
The equivalent products of SIA517DJ-T1-GE3 chip are SI2307 and SI4843DY. These chips are also N-channel MOSFET transistors suitable for similar applications and have comparable specifications to the SIA517DJ-T1-GE3. -
Features
SIA517DJ-T1-GE3 is a power MOSFET with a drain source voltage of 30V, continuous drain current of 47A, low on-resistance, and high speed switching capability. It also features a small package size, suitable for a variety of applications in power management and battery protection circuits. -
Pinout
The SIA517DJ-T1-GE3 is a dual N-channel 70 V (D-S) MOSFET in a DFN2020-6 package. It has 6 pins, with Pin 1 and 6 connected to the source of each MOSFET, Pin 2 and 5 connected to the gates, and Pin 3 and 4 connected to the drains. -
Manufacturer
The manufacturer of SIA517DJ-T1-GE3 is Vishay Semiconductor. It is an electronic components company that specializes in the design, manufacture, and distribution of a wide range of discrete semiconductors and passive components. Vishay Semiconductor's products are used in various applications including automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
The SIA517DJ-T1-GE3 is commonly used in power management applications, including voltage regulation and power distribution. It is suitable for use in various electronics devices such as smartphones, tablets, laptops, and other portable devices. It can also be utilized in industrial applications for power supply management and control. -
Package
The SIA517DJ-T1-GE3 chip is a surface mount package type with a form of PowerPAK SO-8 and a size of 5mm x 6mm.
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