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SI7157DP-T1-GE3

Name: SI7157DP-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Silicon MOSFET designed for power applications in a PowerPAK SO-8 package

브랜드: Vishay

제조업체부품 #: SI7157DP-T1-GE3

데이터 시트: SI7157DP-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: PowerPAK-SO-8

RoHS 상태:

재고상태: 8,954 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI7157DP-T1-GE3 일반적인 설명

This transistor features a single-element design in a HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT package, making it environmentally friendly and compliant with industry standards. The plastic PowerPAK SOP-8 package provides a compact and durable housing for the transistor, facilitating easy integration into circuit designs

특징

P-Channel power MOSFET with low threshold voltage
High current handling and low saturation voltage
Suitable for high-frequency applications
Maintains high reliability in harsh environments
Meets high standards for performance and quality
Suitable for industrial automation control systems

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	PowerPAK-SO-8	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	60 A	Rds On - Drain-Source Resistance	2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.4 V
Qg - Gate Charge	415 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	104 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI7	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	75 ns
Forward Transconductance - Min	120 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	120 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	230 ns	Typical Turn-On Delay Time	115 ns
Unit Weight	0.017870 oz

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The SI7157DP-T1-GE3 is a high-side power switch chip designed for integrated power management in a wide range of applications. It features a low RDS(ON) MOSFET and overcurrent protection, making it suitable for precise current monitoring and control. The chip is compact and efficient, offering a reliable solution for power distribution and protection.
Equivalent

The equivalent products of SI7157DP-T1-GE3 chip are SI7157DP-T1-E3 and SI7157DP-T1-EE3. These are all dual P-channel 20 V (D-S) MOSFETs in a PowerPAK SC-70 package designed for use in portable electronics, power management applications, and load switching.
Features

SI7157DP-T1-GE3 is a P-Channel MOSFET with features such as low on-state resistance, high current carrying capability, and a small form factor. It has a drain-source voltage of -60V, a continuous drain current of -4.3A, and is designed for use in various power management applications.
Pinout

SI7157DP-T1-GE3 is a 2-channel load switch with a 10-pin PowerPAK, max operating voltage of 5.5V, and 0.6A current limit. Pin functions include IN1, IN2, VBIAS, EN1, EN2, and GND. It is designed for power management in mobile devices and other portable applications.
Manufacturer

SI7157DP-T1-GE3 is manufactured by Vishay Siliconix, a semiconductor manufacturer specializing in discrete semiconductors and passive electronic components. They offer a wide range of products including power MOSFETs, ICs, diodes, and optoelectronic components for a variety of industries such as automotive, industrial, communications, and consumer electronics.
Application Field

The SI7157DP-T1-GE3 is commonly used in applications such as LED lighting, consumer electronics, and industrial automation. Its high efficiency, compact size, and low power consumption make it ideal for various voltage regulation and power management tasks in these applications.
Package

The SI7157DP-T1-GE3 chip comes in a DFN-10 package type with a form factor of Surface Mount. It has a size of 3mm x 3mm and is designed for power management applications in a compact footprint.