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$5000vishay SI3932DV-T1-GE3
6-Pin Surface Mount MOSFET
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SI3932DV-T1-GE3
데이터 시트: SI3932DV-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT23-6
상품 유형: FET, MOSFET Arrays
SI3932DV-T1-GE3 일반적인 설명
The SI3932DV-T1-GE3 is a powerful and efficient small signal field-effect transistor that can handle a maximum drain current of 3.7A and a voltage rating of 30V. It is a 2-element, N-channel silicon metal-oxide semiconductor FET, making it a reliable choice for high-frequency and low-power applications. Plus, it is HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, which means it meets the strict environmental standards for hazardous materials. This transistor comes in a TSOP-6 package, offering a small footprint without sacrificing performance
특징
- High-side switching
- Safe operating range
애플리케이션
- Load switch for portable applications DC/DC converters
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | TSOP-6 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 3.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 58 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V | Qg - Gate Charge | 6 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 1.4 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | TrenchFET | Series | SI3 |
| Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Dual |
| Fall Time | 10 ns | Forward Transconductance - Min | 10 S |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 15 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 10 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns | Part # Aliases | SI3932DV-GE3 |
| Unit Weight | 0.000705 oz |
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부품 포인트
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The SI3932DV-T1-GE3 chip is an electronic component designed by Vishay Semiconductor. It is used in various applications, including power management systems and conversion circuits. This chip offers high efficiency and reliability due to its advanced technology and features, making it suitable for use in various electronic devices.
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Equivalent
Some equivalent products for the SI3932DV-T1-GE3 chip include SI3445DV-T1-GE3, SI3441DV-T1-GE3, SI3491DV-T1-GE3, and SI3465DV-T1-GE3. These chips are similar in functionality and can be used as alternatives to the SI3932DV-T1-GE3 chip. -
Features
The SI3932DV-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a drain-source voltage of 100V, continuous drain current of 25A, low on-resistance, and fast switching speeds. It is designed for use in applications such as power supplies, motor controls, and reverse battery protection. -
Pinout
The SI3932DV-T1-GE3 has a pin count of 6. It is a 30V N-Channel MOSFET designed for low On-Resistance. The function of this device is to facilitate power switching and amplification in various electronic circuits. -
Manufacturer
Vishay Siliconix is the manufacturer of the SI3932DV-T1-GE3. It is a semiconductor company that specializes in developing innovative power and small-signal products. -
Application Field
The SI3932DV-T1-GE3 is an N-channel MOSFET designed for use in switching applications. It can be used in a wide range of applications such as power supplies, motor control, and LED lighting where high efficiency and reliability are required. -
Package
The SI3932DV-T1-GE3 chip comes in a TDFN package type, with a 6-pin form. It has a size of 2mm x 2mm.
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