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MMBT5401-7-F

Name: MMBT5401-7-F
Rating: 4.5 (10 reviews)

This product is designed for use in applications requiring high power dissipation

브랜드: Diodes Incorporated

제조업체부품 #: MMBT5401-7-F

데이터 시트: MMBT5401-7-F 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT23-3

RoHS 상태:

재고상태: 5,710 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single Bipolar Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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수량	단가	추가 가격
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200	$0.021	$4.200
600	$0.020	$12.000
3000	$0.018	$54.000
9000	$0.017	$153.000
21000	$0.016	$336.000

재고: 5,710 PCS

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MMBT5401-7-F 일반적인 설명

The MMBT5401-7-F is a versatile PNP bipolar junction transistor designed for low-power applications. With a maximum collector current of 600 mA and a low saturation voltage of 0.5V at 100 mA, this transistor is ideal for use in circuits where energy efficiency is a priority. Its typical DC current gain of 40 ensures reliable signal amplification, while the low base-emitter saturation voltage of 0.65V at 100 mA allows for quick switching in digital circuits. Additionally, the MMBT5401-7-F comes in a compact SOT-23 surface mount package, making it easy to solder onto circuit boards

특징

HIGH RELIABILITY

애플리케이션

SWITCHING

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer	Diodes Incorporated	Product Category	Bipolar Transistors - BJT
RoHS	Details	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	PNP
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	150 V
Collector- Base Voltage VCBO	160 V	Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV	Maximum DC Collector Current	600 mA
Pd - Power Dissipation	310 mW	Gain Bandwidth Product fT	300 MHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	MMBT5401	Brand	Diodes Incorporated
Continuous Collector Current	- 200 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	60
DC Current Gain hFE Max	240	Height	1 mm
Length	3.05 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.4 mm
Unit Weight	0.000282 oz

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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부품 포인트

The MMBT5401-7-F is a general-purpose PNP bipolar transistor used for switching and amplification applications in electronic circuits. It has a maximum collector current of 600mA and a power dissipation of 350mW. This small signal transistor is available in a SOT-23 surface mount package, making it suitable for compact and space-constrained designs.
Equivalent

Some equivalent products of MMBT5401-7-F chip include BC817-16, BC817-25, BC817-40 transistors. These are NPN transistors with similar electrical specifications and pin configurations that can be used as substitutes for MMBT5401-7-F in different electronic circuits.
Features

MMBT5401-7-F is a small signal PNP transistor with a maximum collector current of 600mA, a maximum collector-emitter voltage of 150V, and a maximum power dissipation of 625mW. It has a surface mount SOT-23 package and is RoHS compliant. It is suitable for general purpose switching and amplification applications.
Pinout

The MMBT5401-7-F is a PNP bipolar transistor with a SOT-23 package. It has 3 pins, with pin 1 being the emitter, pin 2 being the base, and pin 3 being the collector. It is commonly used for amplification and switching applications in electronic circuits.
Manufacturer

The manufacturer of the MMBT5401-7-F is Diodes Incorporated. They are a semiconductor company that designs, manufactures and supplies high-quality products for a wide range of electronic applications, including automotive, communication, computing, and consumer electronics.
Application Field

The MMBT5401-7-F is commonly used in low-power linear and switching applications such as amplifiers, voltage regulators, and driver circuits. It is also suitable for general purpose applications due to its high current amplification and low saturation voltage capabilities.
Package

The MMBT5401-7-F chip comes in a SOT-23 package type. It is in a surface mount form and is a small size transistor with three terminals.