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$5000vishay SI2374DS-T1-GE3
Si2374DS Series 20 V 0.030 Ohm SMT N-Channel MOSFET - SOT-23 (TO-236)
브랜드: VISHAY
제조업체부품 #: SI2374DS-T1-GE3
데이터 시트: SI2374DS-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT23-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
SI2374DS-T1-GE3 일반적인 설명
Designed with convenience in mind, the SI2374DS-T1-GE3 comes in a compact SOT-23 package, allowing for seamless integration into space-constrained circuit designs. As a RoHS compliant component, it meets stringent environmental standards, making it a sustainable choice for modern electronic projects
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 5.9 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 30 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 7.7 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 10 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 23 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2374DS-T1-BE3 |
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부품 포인트
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The SI2374DS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET power transistor designed for high power applications in automotive and industrial systems. It features low on-resistance, fast switching speed, and high power efficiency. This chip is suitable for use in a wide range of power management applications, including motor control, power supplies, and LED lighting.
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Equivalent
Some equivalent products of SI2374DS-T1-GE3 chip are SI2374DS-T1-E3, SI2374DS-T1-XT1-GE3, and SI2374DS-T1-E3-GE3. These chips are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
Si2374DS-T1-GE3 is a dual n-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage of 20V, high power density, low on-resistance, and low threshold voltage. It is suitable for battery-powered applications, load switching, and power management in portable devices. It is protected against electrostatic discharge and offers high energy efficiency. -
Pinout
The SI2374DS-T1-GE3 is a Dual N-Channel MOSFET with a pin count of 8. Pin functions include gate 1, source 1, drain 1, substrate, gate 2, source 2, drain 2, and substrate. -
Manufacturer
The SI2374DS-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc., a global company specializing in the manufacturing of discrete semiconductors and passive electronic components. They provide components for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. With a focus on innovation and quality, Vishay is a trusted partner for many leading companies in the electronics industry. -
Application Field
The SI2374DS-T1-GE3 is commonly used in industrial automation, power management, smart energy, and telecommunications applications. It is suitable for applications that require high-performance, low power consumption, and small form factor. The device’s ability to provide high efficiency, precise control, and reliability make it ideal for a wide range of applications in various industries. -
Package
The SI2374DS-T1-GE3 chip comes in a DFN-8 package, with a 2x2 mm form factor.
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