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$5000vishay SI1553CDL-T1-GE3
N / P-Channel 20 V 0.39/0.85 O Power Mosfet - SOT-363 (SC-70-6)
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SI1553CDL-T1-GE3
데이터 시트: SI1553CDL-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT-363-6
상품 유형: FET, MOSFET Arrays
SI1553CDL-T1-GE3 일반적인 설명
Meet the SI1553CDL-T1-GE3 transistor, which boasts a complementary N and P channel configuration and a 20V drain source voltage Vds. It can handle a continuous drain current Id of 700mA and has an on resistance Rds(On) of 0.325Ohm. Designed for surface mount installation, this transistor features an Rds(On) test voltage Vgs of 4.5V and comes with 6 pins. Please be aware that this product is not Rohs compliant
특징
- This power MOSFET boasts a low on-resistance of 2.5mΩ
- The SI15XX series offers high-frequency performance and reliability
- Compact PowerPAK SO-8 package simplifies circuit integration
- Suitable for DC-DC conversion, power supply, and motor control
- This MOSFET excels in high-frequency DC-DC conversion applications
- Power management solutions benefit from its low on-resistance design
애플리케이션
["Load Switch ", "DC/DC Converter"]명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-363-6 |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel | Number of Channels: | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | Id - Continuous Drain Current: | 700 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 390 mOhms, 850 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 12 V, + 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V | Qg - Gate Charge: | 3 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 340 mW | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Series: | SI1 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Dual | Fall Time: | 13 ns |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 22 ns |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns | Part # Aliases: | SI1553CDL-T1-BE3 SI1553DL-T1-GE3 SI1563DH-T1-GE3 SI1563EDH-T1-GE3 SI1555DL-T1-E3-S |
| Unit Weight: | 0.000265 oz |
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부품 포인트
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The SI1553CDL-T1-GE3 chip is a digital isolator designed to provide increased reliability and performance in various industrial applications. It features a high data rate of 1.5 Mbps, low power consumption, and robust isolation capabilities, making it suitable for use in harsh environments. This chip offers significant improvements in system robustness and efficiency, making it an ideal solution for industrial automation, power management, and motor control applications.
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Equivalent
The equivalent products of the SI1553CDL-T1-GE3 chip are the Si1553CDL-T1-GE3, Si1553CDL-T1-E3, Si1553CDL-T1-RE3, Si1553CDL-T1-TE3, Si1553CDL-T1-UCE3, Si1553CDL-T1-II1, Si1553CDL-T1-IQ1, Si1553CDL-T1-E1, and Si1553CDL-T1-UJ1. -
Features
The features of SI1553CDL-T1-GE3 are: 1. Low capacitance ESD protection 2. 0.5pF (Typ) low loading capacitance 3. Protects up to ±15kV contact discharge 4. 4-line low capacitance array 5. Low forward voltage drop 6. 100% matte tin-plated lead frame 7. Green molding compound, halogen free 8. SOT-953 package 9. AEC-Q101 qualified. -
Pinout
The SI1553CDL-T1-GE3 is a 5-pin integrated circuit with the function of a high-speed data tap driver for use in digital isolator applications. It is designed for use in space-constrained applications and features a low tri-state output capacitance, making it ideal for use in high-speed, low-power, and low-voltage applications. -
Manufacturer
The SI1553CDL-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, a global semiconductor company. They specialize in the manufacturing of discrete semiconductors and passive electronic components for a wide range of industries including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The SI1553CDL-T1-GE3 is a dual N-channel, 30 V MOSFET with a built-in ESD protection diode. It is commonly used in power management applications within personal electronics, automotive, and industrial devices. The device's small package size and high efficiency make it suitable for a wide range of portable and battery-powered applications. -
Package
The SI1553CDL-T1-GE3 chip is packaged in a PowerPAK® SC-70 form and measures 2.0mm x 2.1mm x 0.9mm. It comes in a reel of 3000 units.
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