이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기
주문 금액이
$5000vishay SI1480DH-T1-GE3
2.6A Drain Current
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SI1480DH-T1-GE3
데이터 시트: SI1480DH-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT-363-6
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
SI1480DH-T1-GE3 일반적인 설명
The SI1480DH-T1-GE3 is a cutting-edge field-effect transistor that combines high performance with environmental consciousness. Its Silicon Metal-oxide Semiconductor construction ensures stability and reliability in demanding circuit applications, while the HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT design sets it apart as a socially responsible choice for electronics manufacturers. With its compact SC-70 package and 6-pin configuration, this transistor is easy to install and versatile enough to meet the needs of various design specifications
특징
- New generation power technology
- Advanced power device solutions
- Silicon-based switching innovations
- Efficient energy transmission systems
- Rugged and reliable performance guaranteed
- High-speed switching and precision control
애플리케이션
- Test applications
- Power management
- Renewable energy
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current | 2.6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 200 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 5 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.8 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Single |
| Fall Time | 13 ns | Height | 1 mm |
| Length | 2.1 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 45 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns | Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Width | 1.25 mm | Part # Aliases | SI1480DH-T1-BE3 |
| Unit Weight | 0.000265 oz |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.
지불
| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
|---|---|---|
 |
은행 송금 | US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
 |
페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
 |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
보증
1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.
2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.
포장
-
![제품]( "제품")
단계1 :제품
-
![진공 포장]( "진공 포장")
단계2 :진공 포장
-
![정전기 방지 가방]( "정전기 방지 가방")
단계3 :정전기 방지 가방
-
![개별 포장]( "개별 포장")
단계4 :개별 포장
-
![포장 상자]( "포장 상자")
단계5 :포장 상자
-
![바코드 배송 태그]( "바코드 배송 태그")
단계6 :바코드 배송 태그
모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.
외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.
우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.
모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.
부품 포인트
-
The SI1480DH-T1-GE3 is a power management IC developed by Vishay Siliconix. It is designed for high-efficiency voltage regulation and features an integrated high-side switch and low-side driver, making it ideal for various applications in battery-powered devices, power tools, and industrial control systems.
-
Equivalent
Some equivalent products of the SI1480DH-T1-GE3 chip are Infineon BSC010N04LSG, ON Semiconductor NPIC6C596D, and Fairchild Semiconductor FDC6324L. These chips are all Power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
1. N-channel Power MOSFET 2. 100V Drain-source voltage 3. 120A continuous drain current 4. Low on-resistance of 5.8mΩ 5. High power density TO-220 package with D2PAK footprint 6. Suitable for high-power applications such as motor control and power supplies -
Pinout
The SI1480DH-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a 6-pin DFN package. It is commonly used in power management applications due to its high efficiency and low on-resistance. The pins are typically used for gate, source, and drain connections for each MOSFET. -
Manufacturer
Vishay Intertechnology is the manufacturer of SI1480DH-T1-GE3. It is a global company specializing in the development and production of discrete semiconductors and passive electronic components for a variety of industries including automotive, industrial, consumer, and telecommunications. -
Application Field
SI1480DH-T1-GE3 is commonly used in DC-DC converters, power supplies, and motor drive applications due to its high efficiency and low power loss characteristics. It is also suitable for portable electronics, automotive systems, and industrial equipment where space and energy efficiency are key considerations. -
Package
The SI1480DH-T1-GE3 chip is a Dual N-Channel MOSFET in a PowerPAK® SC-70 package. It is a surface mount form with a size of 2.1mm x 2.0mm.
우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.
-
![제품]( "제품")
우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.
-
![quantity]( "quantity")
최소 주문 수량은 1개부터입니다.
-
![shipping]( "shipping")
최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다
-
![보장하다]( "보장하다")
모든 제품에 대해 365일 품질 보증
