Infineon SGW25N120
IGBT NPT 1200 V 46 A 313 W Through Hole PG-TO247-3-1
브랜드: INFINEON
제조업체부품 #: SGW25N120
데이터 시트: SGW25N120 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-247
RoHS 상태:
재고상태: 9458 PC, 새로운 원본
상품 유형: IGBT Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*모든 가격은 USD 단위입니다.
수량 | 단가 | 추가 가격 |
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1 | $15.585 | $15.585 |
200 | $6.031 | $1206.200 |
500 | $5.819 | $2909.500 |
1000 | $5.715 | $5715.000 |
In Stock:9458 PCS
SGW25N120 일반적인 설명
Infineon offers a comprehensive IGBT portfolio for the general purpose inverters, solar inverters, UPS, induction heating, microwave oven, rice cookers, welding and SMPS segments.
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
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IC max | 46.0 A | ICpuls max | 84.0 A |
VCE max | 1200.0 V | Switching Frequency max | 40.0 kHz |
Switching Frequency min | 10.0 kHz | Ptot max | 313.0 W |
Package | TO-247 | Switching Frequency | Fast IGBT 10-40 kHz |
Technology | IGBT Fast |
배송
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부품 포인트
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The SGW25N120 chip is a power semiconductor device commonly used in various electronic applications. It is a silicon carbide (SiC) MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) capable of handling high voltage and current. The chip offers low on-resistance, high switching speed, and high temperature capability, making it suitable for power conversion and motor control requirements.
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Equivalent
The equivalent products of the SGW25N120 chip are the STW25N120K3, IRFW25N120D, HGTG25N120BN, and IHW25N120R3. -
Features
The SGW25N120 is a silicon carbide (SiC) Schottky diode. Its features include a low forward voltage drop, fast switching capability, and high temperature operation. This diode also has a high surge current capability, low leakage current, and excellent thermal performance, making it suitable for various high-power applications. -
Pinout
The pin count of the SGW25N120 is 3. It has 2 pins for the drain and source, and 1 pin for the gate. The drain is the output terminal, the source is the ground terminal, and the gate controls the flow of current in the device. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the SGW25N120. It is a multinational semiconductor manufacturer. -
Application Field
The SGW25N120 is a silicon carbide (SiC) power semiconductor designed for use in high-voltage, high-frequency applications. It can be used in various application areas, including industrial drives, renewable energy generation systems, electric vehicles, and high-efficiency power supplies. -
Package
The SGW25N120 chip is a power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET). Its package type is TO-247 (Transistor Outline 247) which is a large, through-hole package. The size dimensions of the chip are approximately 15.5mm x 20.4mm.
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