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RSQ030P03TR

Name: RSQ030P03TR
Rating: 4.5 (10 reviews)

Compact package suitable for small-scale electronics design, low leakage curren

브랜드: Rohm Semiconductor

제조업체부품 #: RSQ030P03TR

데이터 시트: RSQ030P03TR 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-457T-6

RoHS 상태:

재고상태: 9,185 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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RSQ030P03TR 일반적인 설명

Featuring a compact design and high efficiency, the RSQ030P03TR MOSFET transistor is ideal for use in power management systems, motor control circuits, and voltage regulation applications. Its P Channel polarity allows for easy integration into existing circuit designs, while the continuous drain current of 3A ensures reliable operation under varying load conditions. With a drain source voltage of -30V and an on resistance of 0.09ohm, this transistor offers low power dissipation and high switching speeds

특징

High-speed switching for reliable performance
Low leakage current reduces heat generation
Suitable for general purpose applications only
Compact design for easy installation and space savings
Compliant with RoHS standards for environmental sustainability
Operational voltage of up to 30V for versatility

애플리케이션

Vehicle control systems
Energy saving solutions
Robotic assembly lines
Smart home devices
Telecom network gear

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-457T-6	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	100 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
Qg - Gate Charge	6 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.25 W
Channel Mode	Enhancement	Series	RSQ030P03
Brand	ROHM Semiconductor	Configuration	Single
Fall Time	13 ns	Height	0.85 mm
Length	2.9 mm	Product	MOSFET Small Signals
Product Type	MOSFET	Rise Time	13 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	40 ns	Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Width	1.6 mm

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단계2 :진공 포장
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단계5 :포장 상자
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The RSQ030P03TR is a power MOSFET chip designed for high-performance switching applications. It features a low ON-resistance and high current rating, making it ideal for use in power supply units, motor control circuits, and other demanding applications. The chip is compact and efficient, making it a popular choice for electronic devices requiring reliable power management.
Equivalent

The equivalent products of RSQ030P03TR chip are STP03D60, IRF6646, PSMN034-100P, IPD60R950CE, and FDB7030L.
Features

RSQ030P03TR is a 30V P-Channel MOSFET with a 3A continuous drain current and a low on-resistance of 70mOhm. It is suitable for use in power management applications and offers high efficiency and reliability. It also has a small footprint and is compatible with standard surface mount techniques.
Pinout

The RSQ030P03TR is a MOSFET transistor with a SOT-23 package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The function of this transistor is to control the flow of electrical current between the drain and source pins, based on the voltage applied to the gate pin.
Manufacturer

RSQ030P03TR is manufactured by Rohm Semiconductor, a Japanese company that specializes in the design and production of integrated circuits, semiconductors, and other electronic components. They are known for their high-quality products and innovative technology in the electronics industry.
Application Field

RSQ030P03TR is commonly used in voltage regulation, power management, and switching applications in electronic devices such as laptops, smartphones, and power supplies. It is also suitable for use in battery charging circuits, DC-DC converters, and motor control systems.
Package

The RSQ030P03TR chip is a dual N-channel MOSFET packaged in a compact PowerFLAT 2x2mm form. It has a maximum power dissipation of 1.2W and a drain-source voltage of 30V.