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$5000NRVTS260ESFT1G
Schottky Diode 60V 2A Automotive
브랜드: Onsemi
제조업체부품 #: NRVTS260ESFT1G
데이터 시트: NRVTS260ESFT1G 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOD-123FL
상품 유형: Single Diodes
NRVTS260ESFT1G 일반적인 설명
With a maximum operating temperature of 175°C, this Schottky diode can withstand elevated temperatures without compromising its performance or reliability. It does not contain any restricted substances, making it compliant with environmental regulations. Although it is not specifically automotive qualified, it is suitable for a wide range of industrial and consumer electronic applications
특징
- Precision−matched to Ensure Accurate Results
- Ultra−low Power Consumption for Longer Battery Life
- Durability Against Environmental Stressors
- Sustainable Performance in Harsh Environments
애플리케이션
- High Frequency Switching
- OR−ing Diodes for Protection
- Smartphone Adapter Technology
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Status | Last Shipments | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SOD-123FL | Case Outline | 498-01 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 3000 |
| ON Target | N | Configuration | Single |
| VRRM Min (V) | 60 | VF Max (V) | 0.65 |
| IRM Max (µA) | 12 | IO(rec) Max (A) | 2 |
| IFSM Max (A) | 50 |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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지불
| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
|---|---|---|
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은행 송금 | US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
 |
페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
 |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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포장
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단계5 :포장 상자
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단계6 :바코드 배송 태그
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부품 포인트
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The NRVTS260ESFT1G is a high-performance, high-frequency RF power transistor designed for mobile communication applications. It offers excellent efficiency, reliability, and power handling capabilities, making it ideal for use in cellular base stations, repeaters, and other RF power amplifier applications. Its compact size and high power output make it a versatile choice for various wireless communication systems.
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Equivalent
The equivalent products of the NRVTS260ESFT1G chip are NRVTS260ESFT1R, NRVTS260ESF, NRVTS260ESFT1G, NRVTS260ESFT1 and NRVTS260ESFT1R-ND. -
Features
- NRVTS260ESFT1G is a high-voltage, low-peak reverse recovery time Schottky rectifier diode - It has a maximum repetitive peak reverse voltage of 600V - Its forward continuous current rating is 2A - This diode offers low forward voltage drop and high surge capability - It is housed in a surface-mount SMB package -
Pinout
The NRVTS260ESFT1G is a Schottky diode with a dual common-cathode configuration. It has a pin count of 3 pins with the function of providing low forward voltage drop and fast switching speed for power rectification applications. -
Manufacturer
The manufacturer of NRVTS260ESFT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a semiconductor company that provides a variety of power and signal management, logic, discrete, and custom solutions. They focus on energy-efficient products for a wide range of industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
NRVTS260ESFT1G is a Schottky diode suitable for high-frequency RF applications, including RF detectors, mixers, and frequency multipliers. It is designed for use in RF circuits operating at frequencies up to 10 GHz. This diode is commonly used in radar systems, satellite communication, and wireless networking devices. -
Package
The NRVTS260ESFT1G chip is a SOT-23 package with a form of tape and reel. It has a size of 2.92mm x 1.30mm x 1.30mm.
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