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NEXPERIA PSMN1R0-30YLC,115

NextPower technology LFPAK MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: NEXPERIA

제조업체부품 #: PSMN1R0-30YLC,115

데이터 시트: PSMN1R0-30YLC,115 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: LFPAK56, Power-SO8

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 7,532 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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PSMN1R0-30YLC,115 일반적인 설명

Whether you are a seasoned engineer or a hobbyist looking to upgrade your projects, the PSMN1R0-30YLC,115 offers the performance and reliability you need. Its LFPAK package ensures easy installation and integration, while its logic level enhancement mode simplifies operation across different voltage levels. Backed by stringent quality testing and industry-leading design, this MOSFET is the smart choice for those seeking a versatile and dependable solution for their electronic needs

특징

  • Low loss and fast switching MOSFETs
  • Wide operating temperature range ensured
  • High reliability for harsh environments

애플리케이션

  • Electric motor drives
  • HVAC systems
  • Off-grid power solutions

명세서

매개변수 매개변수
Source Content uid PSMN1R0-30YLC,115 Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer NEXPERIA
Part Package Code SOIC Package Description PLASTIC, POWER, SOP-8, LFPAK56-4
Pin Count 4 Manufacturer Package Code SOT669
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Samacsys Manufacturer Nexperia Additional Feature HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas) 259 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 100 A Drain-source On Resistance-Max 0.0014 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code MO-235
JESD-30 Code R-PSSO-G4 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 4 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Pulsed Drain Current-Max (IDM) 1450 A
Reference Standard IEC-60134 Surface Mount YES
Terminal Finish TIN Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 103.5 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6645 pF @ 15 V Power Dissipation (Max) 272W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8 Package / Case SC-100, SOT-669
Base Product Number PSMN1R0

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