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NEXPERIA PSMN020-100YS,115
Compact package with reduced thermal resistance for reliable operation
브랜드: NEXPERIA
제조업체부품 #: PSMN020-100YS,115
데이터 시트: PSMN020-100YS,115 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: LFPAK56, Power-SO8
RoHS 상태:
재고상태: 6,139 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 10 | $0.374 | $3.740 |
| 30 | $0.337 | $10.110 |
| 100 | $0.291 | $29.100 |
| 500 | $0.269 | $134.500 |
| 1500 | $0.257 | $385.500 |
재고: 6,139 PCS
PSMN020-100YS,115 일반적인 설명
With its exceptional performance and versatility, the PSMN020-100YS,115 N-channel MOSFET stands out as a top-tier choice for professionals seeking a reliable component for their applications. Whether operating in industrial environments, communication systems, or household products, this MOSFET excels in delivering consistent performance and durability. Its LFPAK package and qualification to 175°C further enhance its reliability, making it an ideal solution for a wide array of projects
특징
- Ultra-low power consumption
- Compact power package design
- Reduced electromagnetic interference
- Improved reliability and lifespan
애플리케이션
- Versatile applications
- Advanced technology
- Easy installation
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | PSMN020-100YS,115 | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | NEXPERIA | Part Package Code | SOIC |
| Package Description | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Pin Count | 4 |
| Manufacturer Package Code | SOT669 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| Samacsys Manufacturer | Nexperia | Avalanche Energy Rating (Eas) | 71 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 100 V | Drain Current-Max (ID) | 43 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.0205 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | MO-235 | JESD-30 Code | R-PSSO-G4 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 4 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 172 A | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5mOhm @ 15A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2210 pF @ 50 V | Power Dissipation (Max) | 106W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 | Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Base Product Number | PSMN020 |
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