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ON NTR2101PT1G
Single P-Channel 8 V 120 mOhm 15 nC 0.96 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
제조업체부품 #: NTR2101PT1G
데이터 시트: NTR2101PT1G Datasheet (PDF)
패키지/케이스: SOT-23
RoHS 상태:
재고상태: 3387 PC, 새로운 원본
상품 유형: 트랜지스터
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 5 | $0.154 | $0.770 |
| 50 | $0.122 | $6.100 |
| 150 | $0.107 | $16.050 |
| 500 | $0.090 | $45.000 |
| 3000 | $0.082 | $246.000 |
| 6000 | $0.078 | $468.000 |
In Stock:3387 PCS
NTR2101PT1G 일반적인 설명
P CHANNEL MOSFET, -8V, 3.7A, SOT-23; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -3.7A; Drain Source Voltage Vds: -8V; On Resistance Rds(on): 0.039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1V; Power Dissipation Pd: 960mW; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min: -55°C
특징
- Leading Trench Technology for Low RDS(on)
- -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive
- SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3x3mm)
애플리케이션
- High Side Load Switch
- DC-DC Conversion
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | NTR2101PT1G | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Part Package Code | SOT-23 (TO-236) 3 LEAD | Package Description | LEAD FREE, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| Pin Count | 3 | Manufacturer Package Code | 318-08 |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 59 Weeks | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 8 V |
| Drain Current-Max (ID) | 3.7 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.052 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-236AB |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.96 W | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON | feature-category | Small Signal |
| feature-material | feature-process-technology | TMOS | |
| feature-configuration | Single | feature-channel-mode | Enhancement |
| feature-channel-type | P | feature-number-of-elements-per-chip | 1 |
| feature-maximum-drain-source-voltage-v | 8 | feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±8 |
| feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | feature-maximum-continuous-drain-current-a | 3.7 | |
| feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | [email protected] | feature-typical-gate-charge-vgs-nc | [email protected] |
| feature-typical-gate-charge-10v-nc | feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 1173@4V | |
| feature-typical-output-capacitance-pf | feature-maximum-power-dissipation-mw | 960 | |
| feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 3 | feature-supplier-package | SOT-23 |
| feature-standard-package-name1 | SOT | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-military | No | |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | No |
| feature-svhc-exceeds-threshold | No |
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부품 포인트
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The NTR2101PT1G is a chip that functions as a dual-channel electrostatic discharge (ESD) protection device. It is designed to provide reliable protection for sensitive electronic components against ESD events by diverting harmful transient voltage away from the protected circuitry. This chip is commonly used in various electronic applications, including consumer electronics, automotive systems, and industrial equipment.
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Equivalent
Some of the equivalent products of the NTR2101PT1G chip include NTR2101P, NTR2101PT1, NTR2101PW, NTR2101PW1G, and NTR2101PW1G/MCP6321T-E/PC6321T-1, among others. -
Features
The NTR2101PT1G is a small-signal MOSFET transistor with a power dissipation of 100 mW, drain-source voltage of 60V, and continuous drain current of 1.7A. It features low on-resistance, fast switching speed, and is suitable for general-purpose amplification and switching applications. -
Pinout
The NTR2101PT1G is a Dual N-Channel Power MOSFET with a pin count of 6. It is used as a switching device in power management applications, offering low on-resistance and high efficiency. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTR2101PT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global semiconductor supplier that designs and manufactures a wide range of power and signal management, logic, discrete, and custom devices for various industries including automotive, industrial, consumer, aerospace, and more. -
Application Field
The NTR2101PT1G is a high-speed switching diode commonly used in applications such as clamp diodes, ESD protection, and AC line protection. It is designed to provide fast response times and low leakage currents, making it suitable for use in various electronic devices and circuits. -
Package
The NTR2101PT1G chip is available in an SOT-23 package type. The form is surface mount, and it has a small size of 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.
데이터 시트 PDF
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