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ON NTH4L020N120SC1

Name: NTH4L020N120SC1
Rating: 4.5 (6 reviews)

TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 milliohms, 1200 volts, M1

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: NTH4L020N120SC1

데이터 시트: NTH4L020N120SC1 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TO-247-4

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3076 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NTH4L020N120SC1 일반적인 설명

Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

특징

Max RDS(on) = 28mΩ at Vgs = 20V, Id = 60A
High Speed Switching and Low Capacitance
100% UIL Tested
1200V Rated

애플리케이션

PFC
Boost Inverter
Motor Drives

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	SiC
Mounting Style	Through Hole	Package / Case	TO-247-4
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1.2 kV	Id - Continuous Drain Current	102 A
Rds On - Drain-Source Resistance	28 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4.3 V	Qg - Gate Charge	220 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	510 W	Channel Mode	Enhancement
Series	NTH4L020N120SC1	Brand	onsemi
Configuration	Single	Fall Time	10 ns
Forward Transconductance - Min	3.6 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	21 ns	Factory Pack Quantity	450
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	41 ns	Typical Turn-On Delay Time	21.6 ns
Unit Weight	0.551987 oz

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페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The NTH4L020N120SC1 chip is a semiconductor device used for power management applications. It is designed to efficiently control and regulate power flow in electronic devices. The chip features low power consumption, high switching frequency, and thermal protection capabilities. It is commonly used in various industries, including consumer electronics, automotive, aerospace, and telecommunications.
Equivalent

The equivalent products of the NTH4L020N120SC1 chip are the BSC093N12NS3 and IPP042N12N3G chips.
Features

The NTH4L020N120SC1 is a power MOSFET transistor. It has a maximum drain-source voltage rating of 120V, a maximum continuous drain current of 20A, and a low on-resistance of 0.012 ohms. It is designed for high efficiency and performance in various electronic applications.
Pinout

The NTH4L020N120SC1 is a MOSFET power transistor with 1200V and 20A ratings. It has a TO-247AD package, which typically consists of 3 pins: gate, drain, and source. The specific pin configuration and function may vary depending on the manufacturer.
Application Field

The NTH4L020N120SC1 is a silicon carbide MOSFET in a discrete package. It is designed for use in various applications including motor control, power supplies, renewable energy systems, industrial equipment, and electric vehicle charging systems.
Package

The NTH4L020N120SC1 chip is in a surface-mount package with an LQFP32 form. The size of the chip is 7mm x 7mm.