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$5000ON NSS60200SMTTBG
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 2 A 155MHz 1.8 W Surface Mount 6-WDFN (2x2)
제조업체부품 #: NSS60200SMTTBG
데이터 시트: NSS60200SMTTBG 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: WDFN-6
상품 유형: Single Bipolar Transistors
NSS60200SMTTBG 일반적인 설명
Designed to be driven directly from PMU control outputs, the e2PowerEdge transistor boasts a linear gain (Beta) that sets it apart from other components on the market. This feature makes it a valuable addition to analog amplifiers, further expanding its potential applications in the electronics industry. The 2x2mm plastic leadless package ensures easy integration into existing circuit designs, while the ultra-low saturation voltage ensures minimal power loss during operation
특징
- -2A IDC, -3A ICM
- NSV60200SMTWTBG - Wettable Flanks Packaged Device
- Low VCE(sat): -0.45V @ -2A IC, IC/IB= 10
- Beta of 80 @ -2ADC, VCE = -2V
- NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
- These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
애플리케이션
- High Side Switching
- Overvoltage Protection
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | ON Semiconductor | Product Category: | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS: | Y | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | WDFN-6 | Transistor Polarity: | PNP |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | - 60 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | - 60 V | Emitter- Base Voltage VEBO: | - 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | - 0.365 V | Gain Bandwidth Product fT: | 155 MHz |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Packaging: | Reel | Brand: | ON Semiconductor |
| Continuous Collector Current: | 2 A | DC Collector/Base Gain hfe Min: | 150 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W | Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | Transistors |
| Tags | NSS60200, NSS602, NSS6, NSS |
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