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ON NSR02F30NXT5G

Name: NSR02F30NXT5G
Rating: 4.5 (6 reviews)

Schottky Diodes & Rectifiers 203 FC SCHOTTKY DIODES

브랜드: ON Semiconductor, LLC

제조업체부품 #: NSR02F30NXT5G

데이터 시트: NSR02F30NXT5G Datasheet (PDF)

패키지/케이스: DSN

RoHS 상태:

재고상태: 3380 PC, 새로운 원본

상품 유형: 다이오드 및 정류기

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NSR02F30NXT5G 일반적인 설명

The Schottky diode is optimized for low forward voltage drop and low leakage current. The DSN2 Dual Silicon no lead package is a chip level package using solderable metal contacts under the package similar to DFN style packages. The DSN style package enables 100 percent utilization of the package area for active silicon offering a significant performance per board area advantage compared to products in plastic molded packages. The low thermal resistance enables designers to meet the challenging task of achieving higher efficiency and meeting reduced space requirements.

특징

Low Forward Voltage Drop
High Switching Speed
Low Reverse Current
High ESD Rating

애플리케이션

LCD and Keypad Backlighting
Camera Photo Flash
Buck and Boost DC-DC Converters

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Source Content uid	NSR02F30NXT5G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Ihs Manufacturer	ONSEMI
Part Package Code	DSN2, 0.6x0.3, 0.4P, (0201)	Package Description	CASE 152AA-01, DSN2, 2 PIN
Pin Count	2	Manufacturer Package Code	152AA
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.10.00.70	Factory Lead Time	4 Weeks
Samacsys Manufacturer	onsemi	Configuration	SINGLE
Diode Element Material	SILICON	Diode Type	RECTIFIER DIODE
JESD-30 Code	R-XBCC-N2	Moisture Sensitivity Level	1
Non-rep Pk Forward Current-Max	2 A	Number of Elements	1
Number of Phases	1	Number of Terminals	2
Output Current-Max	0.2 A	Package Body Material	UNSPECIFIED
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	CHIP CARRIER
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Power Dissipation-Max	0.312 W
Qualification Status	Not Qualified	Rep Pk Reverse Voltage-Max	30 V
Surface Mount	YES	Technology	SCHOTTKY
Terminal Form	NO LEAD	Terminal Position	BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Package Category	Other
Released Date	Sep 29, 2019

배송

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페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The NSR02F30NXT5G chip is a high-frequency RF power amplifier designed for 5G applications. It provides excellent power efficiency and linearity, enabling reliable and fast data transmission in 5G networks. This chip offers advanced features and controls for enhanced performance and flexibility in 5G systems.
Features

The NSR02F30NXT5G is a semiconductor device designed for 5G networks. It features a high power handling capacity of 30 Watts, operates up to 3 GHz, and provides low noise, low distortion, and high linearity performance.
Manufacturer

The manufacturer of the NSR02F30NXT5G is Renesas Electronics Corporation. Renesas is a Japanese semiconductor company that provides advanced semiconductor solutions for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

The NSR02F30NXT5G is a high-frequency low-noise amplifier designed for use in 5G wireless communication systems. Its application areas include base stations, small cell networks, macrocells, and other wireless infrastructure where high data rates and low latency are required.
Package

The package type of the NSR02F30NXT5G chip is DFN-6, the form is surface mount, and the size is 1.0mm x 0.6mm.