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ON NBRD5H100T4G

Name: NBRD5H100T4G
Rating: 4.5 (6 reviews)

Diode 100 V 5A Surface Mount DPAK

브랜드: ON Semiconductor, LLC

제조업체부품 #: NBRD5H100T4G

데이터 시트: NBRD5H100T4G Datasheet (PDF)

패키지/케이스: DPAK-2

RoHS 상태:

재고상태: 2357 PC, 새로운 원본

상품 유형: 다이오드 및 정류기

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NBRD5H100T4G 일반적인 설명

The Schottky Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large metal to silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. It is ideally suited for use in low voltage, high frequency switching power supplies, free wheeling diodes and polarity protection diodes.

특징

Guardring for Stress Protection
Low Forward Voltage
175°C Operating Junction Temperature
Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in
Short Heat Sink Tab Manufactured - Not Sheared!
NBRD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

애플리케이션

Power Conversion Circuit
Reverse Battery Protection
Gate Driving Circuit
Protection and Free-Wheeling

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Source Content uid	NBRD5H100T4G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Obsolete	Ihs Manufacturer	ONSEMI
Part Package Code	DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252	Package Description	DPAK-3/2
Pin Count	3	Manufacturer Package Code	369C
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.10.00.80	Samacsys Manufacturer	onsemi
Additional Feature	FREE WHEELING DIODE	Application	POWER
Case Connection	CATHODE	Configuration	SINGLE
Diode Element Material	SILICON	Diode Type	RECTIFIER DIODE
Forward Voltage-Max (VF)	0.71 V	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Non-rep Pk Forward Current-Max	105 A	Number of Elements	1
Number of Phases	1	Number of Terminals	2
Operating Temperature-Max	175 °C	Operating Temperature-Min	-65 °C
Output Current-Max	5 A	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Reference Standard	AEC-Q101
Rep Pk Reverse Voltage-Max	100 V	Reverse Current-Max	3.5 µA
Surface Mount	YES	Technology	SCHOTTKY
Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	40
feature-type	Schottky Diode	feature-material
feature-configuration	Single	feature-peak-reverse-repetitive-voltage-v	100
feature-maximum-continuous-forward-current-a	5	feature-peak-non-repetitive-surge-current-a	105
feature-peak-forward-voltage-v	0.71	feature-peak-reverse-current-ua	3.5
feature-maximum-junction-ambient-thermal-resistance	95.8°C/W	feature-maximum-diode-capacitance-pf
feature-maximum-power-dissipation-mw		feature-peak-reverse-recovery-time-ns
feature-packaging	Tape and Reel	feature-rad-hard
feature-pin-count	3	feature-supplier-package	DPAK
feature-standard-package-name1	TO-252	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection	Yes	feature-escc-qualified
feature-military	No	feature-aec-qualified	Yes
feature-aec-qualified-number	AEC-Q101	feature-auto-motive	Yes
feature-p-pap	Yes	feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc	Yes

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	배송비	리드타임
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The NBRD5H100T4G chip is a high-power RF transistor designed for wireless communication applications. It operates at 5GHz frequency and offers high gain and efficiency, making it suitable for use in power amplifiers. The chip features a robust and compact design, with excellent thermal resistance for enhanced reliability.
Features

The NBRD5H100T4G is a high-power RF transistor that operates at a frequency of 5 GHz. It has a maximum power output of 100 Watts and is designed for use in applications such as radar systems and wireless communication.
Pinout

The NBRD5H100T4G is a power rectifier diode with a TO-252 (DPAK) package. It has 3 pins: the first pin is the cathode, the second pin is the anode, and the third pin is the cathode.
Manufacturer

The manufacturer of the NBRD5H100T4G is ON Semiconductor. This company is a leading supplier of semiconductor-based solutions, offering a wide range of products that enable efficient electronics systems.
Application Field

The NBRD5H100T4G is a high-frequency RF power transistor that can be used in various applications such as radar systems, wireless communication systems, avionics, and medical equipment. Its high power and frequency capabilities make it suitable for amplification and switching tasks in these areas.
Package

The NBRD5H100T4G chip package type is DPAK, the form is surface mount, and the size is 6.4mm x 9.2mm x 2.5mm.