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ON NDT451AN

Name: NDT451AN
Rating: 4.5 (6 reviews)

Transistor N-MOSFET

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: NDT451AN

데이터 시트: NDT451AN Datasheet (PDF)

패키지/케이스: SOT-223-4

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3794 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NDT451AN 일반적인 설명

MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7.2A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.6V; Power Dissipation Pd: 3W

특징

7.2A, 30V
R_DS(ON) = 0.035Ω @ V_GS = 10V
R_DS(ON) = 0.05Ω @ V_GS = 4.5V
High density cell design for extremely low R_DS(ON)
High power and current handling capability in a widely used surface mount package

애플리케이션

This product is general usage and suitable for many different applications.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	SOT-223-4
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	7.2 A
Rds On - Drain-Source Resistance	30 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V	Qg - Gate Charge	30 nC
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	3 W	Channel Mode	Enhancement
Series	NDT451AN	Brand	onsemi / Fairchild
Configuration	Single	Fall Time	10 ns
Forward Transconductance - Min	11 S	Height	1.8 mm
Length	6.5 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	13 ns	Factory Pack Quantity	4000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	29 ns
Typical Turn-On Delay Time	12 ns	Width	3.5 mm
Part # Aliases	NDT451AN_NL

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	배송비	리드타임
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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The NDT451AN chip is a Non-Destructive Testing (NDT) integrated circuit designed for industrial applications. It offers high-precision measurements for material thickness, corrosion, conductivity, and flaw detection through eddy current and impedance measurements. With its compact size and low power consumption, the NDT451AN chip is suitable for use in various sectors, including aerospace, automotive, and manufacturing industries.
Features

The NDT451AN is an N-channel Trench MOSFET with a low on-resistance and a high current rating. It has a voltage rating of 30V, a continuous current rating of 67A, and a power dissipation rating of 43W. It is designed for use in a wide range of applications such as power supplies, motor drives, and DC-DC converters.
Pinout

The NDT451AN is an 8-pin integrated circuit. It is a N-channel, enhancement-mode power MOSFET with a drain-source voltage rating of 500V, drain current capability of 3.5A, and low on-resistance. The pin count and function are as follows: Pin 1: Gate, Pin 2 & 3: Drain, Pin 4: Source, Pins 5-8: Not Connected.
Application Field

The NDT451AN, a type of non-destructive testing (NDT) sensor, is commonly used in application areas such as quality control and inspection of welded joints, pipelines, and structural elements in various industries including aerospace, automotive, oil and gas, and civil engineering. Its advanced technology allows for accurate and reliable detection of defects and abnormalities without causing damage to the tested materials.
Package

The NDT451AN chip has a BGA package type, with dimensions of approximately 4.5mm x 3.2mm x 0.75mm.