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NDT3055L

Name: NDT3055L
Rating: 4.5 (10 reviews)

NDT3055L SOT223 RL MOSFET N-channel with 60V and 4A specifications

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: NDT3055L

데이터 시트: NDT3055L 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-223-4

RoHS 상태:

재고상태: 8,353 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NDT3055L 일반적인 설명

The NDT3055L is a cutting-edge product designed for high-performance applications requiring efficient power management and fast switching capabilities. Utilizing ON Semiconductor's advanced DMOS technology, these N-Channel enhancement mode power field effect transistors offer low on-state resistance and exceptional switching efficiency. Whether you're working on DC motor control or DC/DC conversion projects, these transistors are the ideal choice for ensuring minimal power loss and reliable performance under varying operating conditions

특징

High-speed, low-loss performance for high-frequency applications.
Silicon-rich epitaxial planar technology for improved switching speed.
Laser-trimmed to precise threshold voltage for minimal power consumption.
Low noise and high immunity to electromagnetic interference.

애플리케이션

Perfect for multiple tasks.
Versatile and reliable.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	SOT-223-4
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V	Id - Continuous Drain Current	4 A
Rds On - Drain-Source Resistance	70 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V	Qg - Gate Charge	20 nC
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	3 W	Channel Mode	Enhancement
Series	NDT3055L	Brand	onsemi / Fairchild
Configuration	Single	Fall Time	7 ns
Forward Transconductance - Min	7 S	Height	1.8 mm
Length	6.5 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	7.5 ns	Factory Pack Quantity	4000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns	Typical Turn-On Delay Time	5 ns
Width	3.5 mm	Part # Aliases	NDT3055L_NL
Unit Weight	0.003951 oz

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부품 포인트

The NDT3055L is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip. It is designed for high voltage and high current applications. The chip offers low on-resistance and low gate charge, enabling efficient power management. With its enhanced performance characteristics, the NDT3055L chip is commonly used in various electronic devices and applications, including power supplies, motor control circuits, lighting systems, and more.
Equivalent

Some equivalent products of the NDT3055L chip include the IRF3055, FQPF8N50C, and STP8N50FI. These devices have similar specifications and can be used as replacements for the NDT3055L in various applications.
Features

The NDT3055L is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 60 volts and a current rating of 12 amps. It features low on-resistance, high thermal efficiency, and fast switching characteristics, making it suitable for a wide range of applications such as power supplies, motor controls, and LED lighting systems.
Pinout

The NDT3055L is a power MOSFET with a TO-252 package. It has three pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin is used to control the switching of the device, while the drain and source pins handle the flow of current.
Manufacturer

The manufacturer of the NDT3055L is ON Semiconductor. It is a global semiconductor supplier that designs, manufactures, and sells a wide range of semiconductor components for various applications such as automotive, industrial, consumer electronics, and more.
Application Field

The NDT3055L N-channel MOSFET is commonly used in various application areas such as power management, switching circuits, motor control, and audio amplification. It can be employed in various electronic devices and systems where efficient power handling and low on-resistance characteristics are required.
Package

The NDT3055L chip comes in a TO-220 package, which is a through-hole package commonly used for power devices. It is in a single form factor, meaning it has a single chip within the package. The TO-220 package has approximate dimensions of 10.67mm x 15.57mm x 4.57mm.