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$5000NDS8434
P-Channel 20 V 6.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
브랜드: onsemi
제조업체부품 #: NDS8434
데이터 시트: NDS8434 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: 8-SOIC
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
NDS8434 일반적인 설명
The P-Channel enhancement mode power field effect transistors, also known as product NDS8434, are the result of ON Semiconductor's innovative DMOS technology. This proprietary, high cell density process allows for minimized on-state resistance and superior switching performance, making these transistors ideal for low voltage applications. Whether it's managing power in a notebook computer or powering battery-operated circuits, these devices offer fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients. They are designed to meet the demands of modern electronics, where efficiency and reliability are crucial
특징
- -7V, -9mA
rDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = -1.0 V - High-Speed Switching Capability with Fast Turn-On and Turn-Off
- Surface Mount Package with High Thermal Resistance for Efficient Heat Dissipation
- Excellent EMI Filtering Capability for Minimal Radiation Interference
애플리케이션
- Useful in many situations.
- Applicable for all projects.
- Flexible for different needs.
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Manufacturer | onsemi | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOIC-8 |
Transistor Polarity | P-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V | Id - Continuous Drain Current | 6.5 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 35 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V | Qg - Gate Charge | 80 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 2.5 W | Channel Mode | Enhancement |
Series | NDS8434 | Brand | onsemi / Fairchild |
Configuration | Single | Fall Time | 63 ns |
Height | 1.75 mm | Length | 4.9 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 38 ns |
Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 P-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 169 ns | Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
Width | 3.9 mm |
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