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MUN5233DW1T1G

Name: MUN5233DW1T1G
Brand: onsemi
Rating: 4.8 (10 reviews)

Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN

브랜드: onsemi

제조업체부품 #: MUN5233DW1T1G

데이터 시트: MUN5233DW1T1G 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-363-6

상품 유형: Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MUN5233DW1T1G 일반적인 설명

Elevate your circuit design with the MUN5233DW1T1G, a cutting-edge digital transistor series that redefines simplicity and functionality. Engineered with an integrated bias network, this BRT replaces the traditional external resistor bias network, providing a more efficient and space-saving solution for your applications. By consolidating the transistor and bias resistors into a single device, the MUN5233DW1T1G offers a hassle-free design experience while delivering exceptional performance and reliability. Upgrade your projects with this innovative transistor series and discover the benefits of enhanced cost-effectiveness and streamlined circuit layout

특징

Faster Time-to-Market
Increased Efficiency
Reduced Development Costs
Improved Customer Experience

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	onsemi	Product Category:	Bipolar Transistors - Pre-Biased
RoHS:	Details	Configuration:	Dual
Transistor Polarity:	NPN	Typical Input Resistor:	4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio:	0.1	Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-363-6	DC Collector/Base Gain hfe Min:	80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	50 V	Continuous Collector Current:	100 mA
Peak DC Collector Current:	100 mA	Pd - Power Dissipation:	187 mW
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Series:	MUN5233DW1	Packaging:	MouseReel
Brand:	onsemi	DC Current Gain hFE Max:	80 at 5 mA at 10 V
Height:	0.9 mm	Length:	2 mm
Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	Transistors	Width:	1.25 mm
Unit Weight:	0.000423 oz

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The MUN5233DW1T1G chip is a high-performance dual N-channel 30V MOSFET designed for use in power management applications. It features low on-resistance, high current handling capacity, and a compact footprint, making it ideal for applications where efficiency and power density are critical.
Equivalent

Other equivalent products of the MUN5233DW1T1G chip include MMBT5233, MMBT5233L, and MMBT5233LT1G. These are all NPN Bipolar transistors with similar specifications and performance characteristics, making them suitable substitutes for the MUN5233DW1T1G chip.
Features

MUN5233DW1T1G is a high-speed, high-power, SMT N-Channel MOSFET with a maximum drain-source voltage of 30V and continuous drain current of 12A. It features low on-resistance, high thermal efficiency, and a compact DFN package, making it suitable for a wide range of power management applications.
Pinout

The MUN5233DW1T1G is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. It has a pin count of 6 and is commonly used in power management applications. It features low on-resistance, high current carrying capability, and is suitable for battery management, DC-DC converters, and motor control circuits.
Manufacturer

The manufacturer of MUN5233DW1T1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a Fortune 500 semiconductors supplier company with headquarters in Phoenix, Arizona. The company produces a wide range of semiconductor products used in various industries, including automotive, consumer electronics, and communication systems.
Application Field

MUN5233DW1T1G is a high-performance, low power, N-channel MOSFET transistor. It is commonly used in applications such as power management, battery charging, motor control, and LED lighting due to its high switching speeds, low on-resistance, and excellent thermal performance.
Package

The MUN5233DW1T1G chip is a Surface Mount package type with a Dual NPN array configuration. It comes in a DFN-8 form and measures 2mm x 2mm in size.