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MUN5214DW1T1G

Name: MUN5214DW1T1G
Brand: onsemi
Rating: 4.8 (10 reviews)

Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V

브랜드: onsemi

제조업체부품 #: MUN5214DW1T1G

데이터 시트: MUN5214DW1T1G 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-363-6

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

상품 유형: Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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100	$0.043	$4.300
300	$0.037	$11.100
3000	$0.033	$99.000
6000	$0.030	$180.000
9000	$0.028	$252.000

재고: 9,458 PCS

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MUN5214DW1T1G 일반적인 설명

Incorporating the latest advancements in digital transistor technology, our BRT series offers a comprehensive solution for electronic designers. With its integrated bias network and monolithic design, this revolutionary component streamlines your workflow while minimizing board space and cost

특징

Enhances System Reliability
Minimizes Power Consumption
Faster Signal Processing Time
Simplifies PCB Layout Design

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	onsemi	Product Category:	Bipolar Transistors - Pre-Biased
RoHS:	Details	Configuration:	Dual
Transistor Polarity:	NPN	Typical Input Resistor:	10 kOhms
Typical Resistor Ratio:	0.21	Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-363-6	DC Collector/Base Gain hfe Min:	80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	50 V	Continuous Collector Current:	100 mA
Peak DC Collector Current:	100 mA	Pd - Power Dissipation:	256 mW
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Series:	MUN5214DW1	Packaging:	MouseReel
Brand:	onsemi	DC Current Gain hFE Max:	80
Height:	0.9 mm	Length:	2 mm
Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	Transistors	Width:	1.25 mm
Unit Weight:	0.000988 oz

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The MUN5214DW1T1G is a Power MOSFET transistor chip designed to handle high power applications in electronic devices. It features a low on-resistance and high current capacity, making it ideal for use in power management circuits, motor control systems, and other high-power applications. The chip's compact size and efficient performance make it a popular choice for engineers looking to design energy-efficient and reliable electronic systems.
Equivalent

Some equivalent products to the MUN5214DW1T1G chip are the NXP BAV99LT1G, Fairchild Semiconductor FDN337N, and ON Semiconductor BAV99LT1G. These chips all serve similar functions and can be used as replacements for the MUN5214DW1T1G in various electronic applications.
Features

MUN5214DW1T1G is a high-speed, low VCE(sat) NPN transistor with low collector-emitter saturation voltage, designed for digital and analog switching applications. It has a maximum current rating of 500mA and a voltage rating of 160V. This transistor is RoHS compliant and designed for high-reliability applications.
Pinout

The MUN5214DW1T1G is a dual NPN/PNP small signal transistor array. Pin count: 6 pins Functions: 1. Collector of NPN Transistor 1 2. Base of NPN Transistor 1 3. Emitter of NPN Transistor 1 4. Collector of PNP Transistor 2 5. Base of PNP Transistor 2 6. Emitter of PNP Transistor 2
Manufacturer

MUN5214DW1T1G is manufactured by ON Semiconductor, a leading supplier of semiconductor-based solutions worldwide. ON Semiconductor produces a wide range of products for various applications including power management, connectivity, sensors, and custom solutions. The company is known for its high-quality products and innovative technologies that help accelerate the development of electronic devices in multiple industries.
Application Field

MUN5214DW1T1G is a dual N-channel MOSFET designed for general-purpose switching applications in mobile devices, power management systems, and battery charging circuits. It is commonly used in devices requiring high-speed switching capabilities, low power consumption, and efficient thermal dissipation.
Package

The MUN5214DW1T1G chip comes in a DPAK (TO-252) package type, with a surface mount form. The size of the chip is 6.6mm x 9.55mm x 3.1mm, making it suitable for use in a variety of electronic applications.