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LSIC1MO170E0750
1.7kV N Channel MOSFET
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
브랜드: Littelfuse Inc.
제조업체부품 #: LSIC1MO170E0750
데이터 시트: LSIC1MO170E0750 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-247-3
RoHS 상태:
재고상태: 9,289 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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수량 | 단가 | 추가 가격 |
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1 | $5.126 | $5.126 |
200 | $1.984 | $396.800 |
500 | $1.914 | $957.000 |
1000 | $1.880 | $1880.000 |
재고: 9,289 PCS
LSIC1MO170E0750 일반적인 설명
The LSIC1MO170E0750 Littelfuse MOSFET is a cutting-edge solution for applications requiring high voltage and low on-resistance. With a voltage rating of 1700V and on-resistance of 750mOhm, this Silicon Carbide (SiC) MOSFET offers superior performance for auxiliary power supplies. The product is available in three discrete packages, including the recent addition of a TO-268-2L option with enhanced clearance between the source and gate pins. Additionally, the TO-268-7L package features a separated source pin, effectively reducing parasitic source inductance and improving efficiency in high-power scenarios. With a maximum operating junction temperature of 175 ºC, the LSIC1MO170E0750 MOSFET is designed to deliver reliable, high-performance operation in demanding environments
특징
- Affordable
- Priced Right
- Compact Design
애플리케이션
- Hybrid systems
- Regenerative braking
- Power supplies
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Package | Tube | Product Status | Active |
FET Type | N-Channel | Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2A, 20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 20 V |
Vgs (Max) | +22V, -6V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 1000 V |
Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247AD |
Package / Case | TO-247-3 |
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