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LBSS123LT1G

Name: LBSS123LT1G
Brand: LESHAN RADIO CO LTD
Rating: 4.8 (10 reviews)

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN

브랜드: LESHAN RADIO CO LTD

제조업체부품 #: LBSS123LT1G

데이터 시트: LBSS123LT1G 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-23-3

RoHS 상태:

재고상태: 8,685 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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200	$0.016	$3.200
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3000	$0.013	$39.000
9000	$0.012	$108.000
21000	$0.011	$231.000

재고: 8,685 PCS

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명세서

매개변수	값	매개변수	값
Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Ihs Manufacturer	LESHAN RADIO CO LTD	Package Description	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	0.17 A	Drain-source On Resistance-Max	6 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	0.225 W
Surface Mount	YES	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Element Material	SILICON

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단계2 :진공 포장
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The LBSS123LT1G chip is a low barrier Schottky diode designed for high frequency applications. It offers low forward voltage drop and fast switching performance, making it suitable for use in RF detectors, mixers, and high-speed switching circuits. This chip is compact and reliable, ensuring optimal performance in a range of electronic devices.
Equivalent

The equivalent products of LBSS123LT1G chip are MMBD1201LT1G, MMBZ1205LT1G, MMBZ1207LT1G, MMBD7000LT1G, and MMBZ1230BLT1G.
Features

LBSS123LT1G is a surface mount Schottky diode with a low forward voltage drop of 0.37V at 1A and a maximum reverse voltage of 30V. It has a forward current of 1A, a low leakage current of 10nA, and a fast switching speed of 6ns.
Pinout

The LBSS123LT1G is a single P-channel MOSFET with a pin count of 3. The pins include the drain (D), gate (G), and source (S). The drain is the output terminal, the gate controls the flow of current, and the source is the input terminal.
Manufacturer

The LBSS123LT1G is manufactured by ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor company that specializes in designing and producing power management, analog, and discrete devices. ON Semiconductor caters to various industries including automotive, industrial, consumer electronics, and communications.
Application Field

The LBSS123LT1G is a Schottky Barrier Diode primarily used in switching applications, voltage clamping, and protection circuits. It is commonly found in power supplies, motor control circuits, and high-frequency rectifiers.
Package

The LBSS123LT1G chip is in a SOD-523 package type, with a form factor of surface mount. The chip measures approximately 1.0mm x 0.6mm x 0.4mm in size.