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K4T51163QJ-BCE7

Name: K4T51163QJ-BCE7
Rating: 4.5 (10 reviews)

K4T51163QJ-BCE7 SAMSUNG

브랜드: SAMSUNG

제조업체부품 #: K4T51163QJ-BCE7

데이터 시트: K4T51163QJ-BCE7 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: FBGA

상품 유형: 메모리

RoHS 상태:

재고상태: 6,554 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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K4T51163QJ-BCE7 일반적인 설명

32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84

특징

JEDEC standard 1.8V0.1V Power Supply

VDDQ = 1.8V0.1V

200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin

4 Banks

Posted CAS

Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6

Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3, 4 , 5

Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1

Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)

Programmable Sequential / Interleave Burst Mode

Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data strobe is an optional feature)

Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment

On Die Termination

Special Function Support

-PASR(Partial Array Self Refresh)

-50ohm ODT

-High Temperature Self-Refresh rate enable

Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85C, 3.9us at 85C < T CASE < 95 C

All of Lead-free products are compliant for RoHS

애플리케이션

The chip is designed to comply with the following key DDR2 SDRAM features such as posted CAS with additive latency, write latency = read latency -1, Off-Chip Driver(OCD) impedance adjustment and On Die Termination.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
EU RoHS	Compliant	ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active	HTS	8541.29.00.95
Automotive	No	PPAP	No
Category	Power MOSFET	Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement	Channel Type	P
Number of Elements per Chip	1	Maximum Drain Source Voltage (V)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20	Maximum Gate Threshold Voltage (V)	3
Operating Junction Temperature (°C)	-55 to 150	Maximum Continuous Drain Current (A)	9
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100	Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	240@10V	Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	17.5@10V\|[email protected]
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	17.5	Typical Gate to Drain Charge (nC)	3.2
Typical Gate to Source Charge (nC)	2.8	Typical Reverse Recovery Charge (nC)	24.5
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	1239@25V	Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)	28@25V
Minimum Gate Threshold Voltage (V)	1	Typical Output Capacitance (pF)	42
Maximum Power Dissipation (mW)	42000	Typical Fall Time (ns)	34.4
Typical Rise Time (ns)	14.9	Typical Turn-Off Delay Time (ns)	57.4
Typical Turn-On Delay Time (ns)	9.1	Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150	Supplier Temperature Grade	Automotive
Packaging	Tape and Reel	Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)	42
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)	15	Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)	44
Typical Diode Forward Voltage (V)	0.7	Typical Gate Plateau Voltage (V)	3.1
Typical Reverse Recovery Time (ns)	25.2	Maximum Diode Forward Voltage (V)	1.2
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)	20	Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A)	9
Mounting	Surface Mount	Package Height	2.29
Package Width	6.1	Package Length	6.58
PCB changed	2	Tab	Tab
Standard Package Name	TO-252	Supplier Package	DPAK
Pin Count	3

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
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부품 포인트

The K4T51163QJ-BCE7 chip is a high-performance dynamic random-access memory (DRAM) chip. It is designed to provide fast and efficient data storage and retrieval in various electronic devices such as computers, servers, and mobile devices. Its advanced technology and capacity make it suitable for demanding applications that require high-speed and reliable memory performance.
Equivalent

The equivalent products of the K4T51163QJ-BCE7 chip are the MT41K512M8RH-107:E, MT41K512M16HA-107:E, and MT41K512M16HA-125:E chips.
Features

The key features of K4T51163QJ-BCE7 include its capacity of 4GB, DDR3L SDRAM technology, operating voltage range of 1.35V, and a clock frequency of 1600MHz. It is a low-voltage, high-speed memory module suitable for various applications, such as laptops, desktops, and embedded systems.
Pinout

The K4T51163QJ-BCE7 is a DDR3L SDRAM with a pin count of 96. It is commonly used in computer memory modules and offers a capacity of 8 gigabits (1 gigabyte). It operates at a voltage of 1.35V, making it suitable for low-power applications.
Manufacturer

Samsung is the manufacturer of the K4T51163QJ-BCE7. It is a multinational conglomerate company, specializing in various sectors such as electronics, shipbuilding, construction, and more.
Application Field

The K4T51163QJ-BCE7 is a dynamic random-access memory (DRAM) chip commonly used in various applications, including computers, servers, laptops, and gaming consoles. It provides high-speed data storage and retrieval for these devices, thereby enhancing their performance and overall functionality.
Package

The K4T51163QJ-BCE7 chip is in an FBGA package type. It has a 78-ball form and measures approximately 8mm by 10mm in size.