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K4H511638D-UCB3

Name: K4H511638D-UCB3
Rating: 4.5 (10 reviews)

DDR memory module with a capacity of 32MX16 and a fast access time of 0.7ns

브랜드: Samsung Semiconductor

제조업체부품 #: K4H511638D-UCB3

데이터 시트: K4H511638D-UCB3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TSOP-66

RoHS 상태:

재고상태: 3252 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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K4H511638D-UCB3 일반적인 설명

K4H511638D-UCB3 is a DDR2 SDRAM module manufactured by Samsung. It has a capacity of 512MB and operates at a clock speed of 333MHz. The module is designed to work with a 240-pin DIMM memory slot and has a voltage rating of 1.8V.The K4H511638D-UCB3 module is optimized for use in desktop computers and offers high performance and reliability. It is ideal for multitasking, gaming, and other demanding applications that require fast and efficient memory access.In terms of compatibility, the K4H511638D-UCB3 module can be used in various systems that support DDR2 SDRAM memory. It is easy to install and requires no additional configuration, making it a convenient upgrade option for users looking to boost their system's performance.

특징

DDR2 SDRAM

512MB capacity

Speed of 400MHz

High performance

Low power consumption

Small outline DIMM package

RoHS compliant

Ideal for various electronic devices

애플리케이션

Mobile devices such as smartphones and tablets

Automotive electronics

Industrial applications

Consumer electronics

Communication equipment

H511638D-UCB3 is a specific model of DDR3 SDRAM module commonly used in various electronic devices

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Pbfree Code	Yes	Rohs Code	Yes
Part Life Cycle Code	Obsolete	Ihs Manufacturer	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.28
Access Time-Max	0.7 ns	Clock Frequency-Max (fCLK)	166 MHz
I/O Type	COMMON	Interleaved Burst Length	2,4,8
JESD-30 Code	R-PDSO-G66	JESD-609 Code	e6
Memory Density	536870912 bit	Memory IC Type	DDR1 DRAM
Memory Width	16	Moisture Sensitivity Level	2
Number of Terminals	66	Number of Words	33554432 words
Number of Words Code	32000000	Operating Temperature-Max	70 °C
Organization	32MX16	Output Characteristics	3-STATE
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Code	TSSOP
Package Equivalence Code	TSSOP66,.46	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Power Supplies	2.5 V	Qualification Status	Not Qualified
Refresh Cycles	8192	Sequential Burst Length	2,4,8
Standby Current-Max	0.005 A	Supply Current-Max	0.38 mA
Supply Voltage-Nom (Vsup)	2.5 V	Surface Mount	YES
Technology	CMOS	Temperature Grade	COMMERCIAL
Terminal Finish	TIN BISMUTH	Terminal Form	GULL WING
Terminal Pitch	0.635 mm

배송

	배송비	리드타임
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	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
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부품 포인트

The K4H511638D-UCB3 chip is a type of dynamic random-access memory (DRAM) used in various electronic devices. It has a capacity of 512 megabits and operates at a high speed. The chip is particularly designed for applications requiring low power consumption while maintaining efficient performance. It is widely used in smartphones, tablets, and other devices that require reliable and fast memory storage.
Pinout

The K4H511638D-UCB3 is a 512Mb DDR SDRAM with a 66-pin FBGA package. It has a common (C) bus width of 4 bits and operates at a maximum data transfer speed of up to 166 MHz.
Manufacturer

Samsung is the manufacturer of K4H511638D-UCB3. It is a multinational conglomerate company based in South Korea.
Application Field

The K4H511638D-UCB3 is a type of semiconductor memory chip commonly used in the manufacturing of electronic devices like computers, smartphones, and gaming consoles. It is specifically designed for high-speed data storage and retrieval, making it suitable for applications that require fast and efficient memory operations.
Package

The K4H511638D-UCB3 chip is available in a TSOP II package type, with a 66-pin form factor. The chip has a size of 10mm x 12mm.