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K4T1G164QE-HCF8

Name: K4T1G164QE-HCF8
Brand: SAMSUNG
Rating: 4.8 (10 reviews)

The K4T1G164QE-HCF8 is a CMOS DDR DRAM in a PBGA84 package, making it suitable for advanced electronic devices."

브랜드: SAMSUNG

제조업체부품 #: K4T1G164QE-HCF8

데이터 시트: K4T1G164QE-HCF8 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: FBGA84

상품 유형: Memory chips

RoHS 상태:

재고상태: 6,658 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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K4T1G164QE-HCF8 일반적인 설명

The 1Gb DDR2 SDRAM is organized asa 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications.Key Features• JEDEC standard VDD= 1.8V ± 0.1V Power Supply•VDDQ= 1.8V ± 0.1V• 333MHz fCKfor 667Mb/sec/pin, 400MHz fCKfor 800Mb/sec/pin• 8 Banks• Posted CAS• Programmable CASLatency: 3, 4, 5, 6• Programmable Additive Latenc y: 0, 1, 2, 3, 4, 5• Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1• Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)• Programmable Sequential / Interleave Burst Mode• Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-strobe is an optional feature)• Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment• On Die Termination• Special Function Support - 50ohm ODT - High Temperature Self-Refresh rate enable• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C

특징

1. It has a storage capacity of 1 gigabit (1 Gb).
2. It operates at a voltage of 1.35V.
3. It is based on a Double Data Rate 3 (DDR3) architecture.
4. It supports high-speed data transfer rates.

애플리케이션

1. It is commonly used in computer systems, laptops, and servers.
2. It serves as primary memory in electronic devices, allowing for quick data access and retrieval.
3. It can be integrated into various electronic devices requiring temporary storage for programs and data.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer	SAMSUNG

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