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$5000K4B1G0846G-BCH9
DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78,
브랜드: SAMSUNG
제조업체부품 #: K4B1G0846G-BCH9
데이터 시트: K4B1G0846G-BCH9 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: FBGA
상품 유형: Memory chips
K4B1G0846G-BCH9 일반적인 설명
1Gb G-die DDR3 SDRAM 78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)The 1Gb DDR3 SDRAM G-die is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin (DDR3- 1866) for general applications.The chip is designed to comply with the following key DDR3 SDRAM features such as posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, On Die Termination using ODT pin and Asynchronous Reset .Key Features• JEDEC standard 1.5V ± 0.075V Power Supply• VDDQ = 1.5V ± 0.075V• 400 MHz fCK for 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK for 1066Mb/sec/pin, 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin 900MHz fCK for 1866Mb/sec/pin• 8 Banks• Programmable CAS Latency(posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13• Programmable Additive Latency: 0, CL-2 or CL-1 clock• Programmable CAS Write Latency (CWL) = 5 (DDR3-800), 6 (DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600) and 9 (DDR3-1866)• 8-bit pre-fetch• Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either On the fly using A12 or MRS]• Bi-directional Differential Data-Strobe• Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)• On Die Termination using ODT pin• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C 특징
애플리케이션
명세서
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매개변수
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Manufacturer
Samsung
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