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$5000IXTQ30N50L2
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
브랜드: IXYS
제조업체부품 #: IXTQ30N50L2
데이터 시트: IXTQ30N50L2 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-3P
RoHS 상태:
재고상태: 6,982 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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210 | $13.514 | $2837.940 |
510 | $13.063 | $6662.130 |
990 | $12.839 | $12710.610 |
재고: 6,982 PCS
IXTQ30N50L2 일반적인 설명
Tailored specifically for applications requiring Power MOSFETs to operate in their current saturation regions, these unique devices feature low thermal resistances, high power density, and extended Forward Bias Safe Operating Areas (FBSOA).When Power MOSFETs are utilized in linear-mode operation, as opposed to their conventional switch-mode one, they are required to endure substantially high thermal and electrical stresses due to the simultaneous occurrence of high drain voltages and currents; these extreme stresses can cause typical devices to fail. Littelfuse LinearL2™ Power MOSFETs have been designed to address these kinds of device failures – the FBSOAs are “extended” when the positive feedback of electro-thermal instability is suppressed, giving rise to larger “operating windows.” The FBSOAs are guaranteed at 75°C.
특징
- Designed for linear operation
- Guaranteed FBSOA at 75°C
- Low on-resistances R
- DS(on)
- Avalanche rated
- International standard packages
- UL 94 V-0 Flammability qualified
- (molding epoxies)
애플리케이션
- E-fuses and hot-swap circuits
- Battery management
- Current regulators
- Linear amplifiers
- Fan controllers
- Programmable loads
- Soft-start control
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Manufacturer | IXYS | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-3P-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V | Id - Continuous Drain Current | 30 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 200 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V | Qg - Gate Charge | 240 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 400 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | Linear L2 | Series | IXTQ30N50 |
Brand | IXYS | Configuration | Single |
Fall Time | 40 ns | Forward Transconductance - Min | 9 S |
Height | 20.3 mm | Length | 15.8 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 117 ns |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Type | Linear L2 Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 94 ns | Typical Turn-On Delay Time | 35 ns |
Width | 4.9 mm |
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