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IXTK5N250
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브랜드: Littelfuse
제조업체부품 #: IXTK5N250
데이터 시트: IXTK5N250 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-264-3
RoHS 상태:
재고상태: 8,443 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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|---|---|---|
| 1 | $63.021 | $63.021 |
| 200 | $24.389 | $4877.800 |
| 500 | $23.531 | $11765.500 |
| 1000 | $23.109 | $23109.000 |
재고: 8,443 PCS
IXTK5N250 일반적인 설명
Revolutionize your power conversion designs with the innovative IXTK5N250 Very High Voltage N-Channel Standard MOSFET series. Engineered to excel in fast-switching applications requiring high blocking voltages up to 4.5kV, these MOSFETs deliver unmatched performance and reliability. Their unique positive temperature coefficient of on-state resistance allows for seamless parallel device operation, offering a cost-effective solution compared to lower-voltage alternatives. By simplifying gate drive circuitry, reducing system complexity, and optimizing PCB board space, the IXTK5N250 MOSFET series provides a highly efficient and dependable solution for demanding power conversion tasks
특징
- Ruggedized for military-grade applications
- Immune to EMP and EMI interference
- Long-term reliability up to 20 years
- Operating temperatures up to 150°C
애플리케이션
- Compact and efficient design
- Versatile for various applications
- Durable and reliable performance
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Drain-Source Voltage (V) | 2500 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 8.8 |
| Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 5 | Gate Charge (nC) | 200 |
| Input Capacitance, CISS (pF) | 8560 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.13 |
| Configuration | Single | Package Type | TO-264 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 1200 | Power Dissipation (W) | 960 |
| Sample Request | Yes |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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부품 포인트
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The IXTK5N250 chip is a power semiconductor device used in high-speed switching applications. It features a low on-state resistance and high switching frequency, making it ideal for power management in various electronic systems. The chip is designed to optimize power efficiency and performance in a compact and reliable package.
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Equivalent
The equivalent products of the IXTK5N250 chip are the IRF7853PbF, AUIRF7862M2TR, and IPP65R250CFD7. These are all power MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics to the IXTK5N250. -
Features
1. High power N-channel MOSFET 2. 250V drain-source voltage 3. 2.5A continuous drain current 4. Low on-resistance 5. Fast switching speed 6. Low gate charge 7. TO-252 packaging 8. Suitable for high-power applications -
Pinout
The IXTK5N250 is a 5 pin TO-263 package MOSFET transistor with a gate, drain, source, substrate, and body diode pin. It is designed for high power applications and offers fast switching capabilities. The pin functions include gate control, power input/output, and thermal management. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXTK5N250 is Cree Inc. It is a multinational company that specializes in semiconductor manufacturing and technology, particularly in LED lighting, power, and radio frequency (RF) applications. Cree Inc. is known for its innovation and expertise in developing energy-efficient and high-performance semiconductor products. -
Application Field
The IXTK5N250 is a high voltage, high-speed IGBT specifically designed for industrial applications such as motor control, converters, inverters, power supplies, and welding equipment. It is commonly used in high-power, high-frequency applications where efficiency and reliability are critical. -
Package
The IXTK5N250 chip is a power MOSFET with a TO-264 package type, a transistor form, and a size of 29.34mm x 16.56mm x 9.5mm.
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