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$5000IXTH12N120
The IXTH12N120 is a N-channel MOSFET featuring a voltage rating of 1
브랜드: IXYS
제조업체부품 #: IXTH12N120
데이터 시트: IXTH12N120 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-247-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
IXTH12N120 일반적인 설명
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
특징
- International standard package JEDEC TO-247 AD
- Low RDS (on) HDMOSTM process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Fast switching times
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 500 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 17 ns |
| Height: | 21.46 mm | Length: | 16.26 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 25 ns |
| Factory Pack Quantity: | 30 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns | Width: | 5.3 mm |
| Unit Weight: | 0.211644 oz |
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부품 포인트
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The IXTH12N120 is a high-voltage, high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip designed for use in power electronics applications. It offers low saturation voltage and high switching speed, making it ideal for use in motor drives, inverters, and other high-power industrial applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the IXTH12N120 chip include the IXTH20N120, IXTH22N120, and IXTH25N120. These chips are also power MOSFETs designed for high power switching applications, with similar specifications and performance characteristics to the IXTH12N120. -
Features
The IXTH12N120 is a high-speed, high-voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) designed for use in high-frequency switching applications. It features a low VCE(sat) and low switching losses, making it suitable for various power electronics applications such as motor drives, inverters, and power supplies. -
Pinout
IXTH12N120 is a power MOSFET transistor with a TO-247 package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). It is designed for high power applications up to 12A and 1200V. -
Manufacturer
IXTH12N120 is manufactured by IXYS Corporation, a semiconductor company specializing in power semiconductors, integrated circuits, and RF power products. Established in 1983, IXYS focuses on developing innovative solutions for energy efficiency, renewable energy, and power management applications. -
Application Field
IXTH12N120 is a high-performance MOSFET with a continuous drain current of 12A and a breakdown voltage of 1200V. It is suitable for applications such as switch-mode power supplies, motor control, renewable energy systems, and industrial equipment where high voltage and high current handling capabilities are required. -
Package
The IXTH12N120 chip is a power transistor with a TO-247 package type, through-hole form, and a size of 22.5mm x 10.67mm.
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