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$5000IXGQ90N33TCD1
This product is a Trans IGBT Chip designed for high-power applications with a 330V voltage threshold
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브랜드: Ixys
제조업체부품 #: IXGQ90N33TCD1
데이터 시트: IXGQ90N33TCD1 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-3P
상품 유형: Single IGBTs
IXGQ90N33TCD1 일반적인 설명
IGBT Trench 330 V 90 A 200 W Through Hole TO-3P
특징
- High-performance applications with low-power consumption
- Efficient power conversion for improved efficiency
애플리케이션
- UPS systems
- Industrial machinery
- Battery chargers
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
Technology | Si | Package / Case | TO-3P |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 330 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 90 A |
Pd - Power Dissipation | 200 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | IXYS |
Gate-Emitter Leakage Current | 200 nA | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | IGBTs |
Unit Weight | 0.194007 oz |
배송
배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
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등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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지불
지불 조건 | 핸드 수수료 | |
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포장
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단계1 :제품
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단계2 :진공 포장
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단계3 :정전기 방지 가방
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단계4 :개별 포장
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단계5 :포장 상자
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부품 포인트
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The IXGQ90N33TCD1 chip is a high-power GaN transistor designed for radio frequency and power amplifier applications. It offers high efficiency, high power density, and high voltage capabilities, making it ideal for use in demanding RF and power amplifier systems.
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Equivalent
The equivalent products of IXGQ90N33TCD1 chip are Infineon's CoolMOS N-Channel Power MOSFETs such as IPA60R190C6, IPB60R190C6, and IPD60R190C6. These products offer similar functionalities and characteristics, making them suitable replacements for the IXGQ90N33TCD1 chip. -
Features
1. GaN-on-SiC technology for high power and efficiency 2. 90W minimum power 3. 330-360 MHz frequency 4. Lightweight and compact design 5. High temperature operation up to 110°C 6. Integrated matching network for easy integration into RF systems -
Pinout
The IXGQ90N33TCD1 is a power MOSFET with a pin count of 3. The functions of the pins are gate, drain, and source, used for controlling the flow of current in the circuit. -
Manufacturer
IXGQ90N33TCD1 is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturing company. Infineon specializes in the production of power semiconductors, automotive semiconductors, and sensors. -
Application Field
The IXGQ90N33TCD1 is a high-power RF transistor commonly used in applications such as aerospace, defense, industrial, and medical equipment. It is suitable for high-frequency amplification, radar systems, and satellite communication. Its advanced technology and high performance make it ideal for demanding RF power applications in various industries. -
Package
The IXGQ90N33TCD1 chip is packaged in a TO-220 form, with a size of 10.1mm x 18mm x 3.5mm.
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