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$5000IXFQ60N60X
N-Channel 600 V 60A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-3P
브랜드: IXYS
제조업체부품 #: IXFQ60N60X
데이터 시트: IXFQ60N60X 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-3P
RoHS 상태:
재고상태: 6,793 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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210 | $13.126 | $2756.460 |
510 | $12.687 | $6470.370 |
990 | $12.469 | $12344.310 |
재고: 6,793 PCS
IXFQ60N60X 일반적인 설명
Ultra-Junction X-Class Power MOSFETs with fast body diodesare rugged devices that display the lowest on-state resistances in the industry, enabling very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, these devices exhibit low gate charges and superior dv/dtperformance. In addition, thanks to the fast soft-recovery body diode, these Ultra-Junction MOSFETs help reduce switching losses and electromagnetic interference (EMI).
특징
- Ultra low on-resistance R
- DS(ON)
- and gate charge Q
- g
- Fast body diode
- dv/dt ruggedness
- Avalanche rated
- Low package inductance
- International standard packages
- Advantages:
- Higher efficiency
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
애플리케이션
- Industrial switched-mode and resonant-mode power supplies
- Electric vehicle battery chargers
- AC and DC motor drives
- DC-DC converters
- Renewable-energy inverters
- Power Factor Correction (PFC) circuits
- Robotics and servo control
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Manufacturer | IXYS | Product Category | MOSFET |
Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-3P-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Id - Continuous Drain Current | 60 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 55 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
Qg - Gate Charge | 143 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 890 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | HiPerFET |
Brand | IXYS | Configuration | Single |
Fall Time | 13 ns | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 23 ns | Factory Pack Quantity | 30 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 90 ns | Typical Turn-On Delay Time | 27 ns |
Unit Weight | 0.056438 oz |
배송
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