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IXFN64N60P

Name: IXFN64N60P
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B

브랜드: IXYS

제조업체부품 #: IXFN64N60P

데이터 시트: IXFN64N60P 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-227B

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 8,667 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXFN64N60P 일반적인 설명

Designed with precision and innovation in mind, the Polar™ HiPerFETs deliver exceptional performance characteristics that set them apart from traditional power MOSFETs. With a focus on efficiency and speed, this product family offers a reliable solution for demanding applications in the fields of motor control and power supply management

특징

High Reliability Rate
Low Crosstalk Risk
Fault-Tolerant Design

애플리케이션

Inverters for Solar Panels
LED Driver Circuits
Induction Heating Systems

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer	IXYS	Product Category	Discrete Semiconductor Modules
RoHS	Details	Product	Power MOSFET Modules
Type	HiperFET	Technology	Si
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Mounting Style	Screw Mount
Package / Case	SOT-227-4	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	IXFN64N60
Brand	IXYS	Configuration	Single
Fall Time	24 ns	Height	9.6 mm
Id - Continuous Drain Current	50 A	Length	38.2 mm
Number of Channels	1 Channel	Pd - Power Dissipation	700 W
Product Type	Discrete Semiconductor Modules	Rds On - Drain-Source Resistance	96 mOhms
Rise Time	23 ns	Factory Pack Quantity	10
Subcategory	Discrete Semiconductor Modules	Tradename	HiPerFET
Transistor Polarity	N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	79 ns
Typical Turn-On Delay Time	28 ns	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Width	25.07 mm

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The IXFN64N60P is a high voltage, high power MOSFET chip designed for use in various applications such as power supplies, motor control, and inverters. It has a maximum voltage rating of 600V and a current rating of 64A. This chip offers low on-state resistance and fast switching speeds, making it ideal for high power applications that require efficient performance.
Equivalent

Some equivalent products to the IXFN64N60P chip are Infineon's IPP60R360C6, STMicroelectronics' STGWT40V60DF, and Fairchild Semiconductor's FGH60N60SMD. These MOSFETs have similar specifications and performance characteristics to the IXFN64N60P.
Features

The IXFN64N60P is a 600V high-speed switching IGBT that offers low Vce(sat) and high switching speed. It has a rugged and reliable design for demanding applications. This IGBT also features a high current capability and low gate charge, making it ideal for power factor correction, UPS, and motor drive applications.
Pinout

The IXFN64N60P is a 3-pin IGBT transistor with a TO-268 package. It is a N-channel SiC power MOSFET with a maximum current rating of 64A and a breakdown voltage of 600V. Its function is to switch high-power loads in industrial applications.
Manufacturer

IXFN64N60P is manufactured by IXYS Corporation. IXYS Corporation is a global power semiconductor and integrated circuit manufacturer. They specialize in the development, manufacturing, and marketing of advanced power semiconductor devices, integrated circuits, and modules. Their products are used in a wide range of industries including automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics.
Application Field

IXFN64N60P is a high-voltage, high-current IGBT designed for use in power supply, motor control, and welding applications. It is commonly used in industrial automation, renewable energy systems, and electric vehicle charging stations. Its high power handling capability and low switching losses make it ideal for high power applications that require efficient and reliable operation.
Package

The IXFN64N60P chip is a power semiconductor made in a TO-268 package. It has a module form and size of 14 mm x 28 mm x 6 mm.