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IXFK90N20

Name: IXFK90N20
Brand: IXYS
Rating: 4.8 (10 reviews)

With a 90 amp current capacity, IXFK90N20 is a powerful MOSFET designed for high-voltage applications

브랜드: IXYS

제조업체부품 #: IXFK90N20

데이터 시트: IXFK90N20 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-264-3

RoHS 상태:

재고상태: 5,656 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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재고: 5,656 PCS

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IXFK90N20 일반적인 설명

The IXFK90N20 Power MOSFET stands out for its reliability and efficiency, making it a popular choice for engineers and designers looking for high-quality components. Its robust construction ensures long-lasting performance, while its low gate charge helps optimize power efficiency in electronic circuits. Additionally, the fast intrinsic diode contributes to quicker switching speeds, enhancing overall system performance

특징

Compact Form Factor Design
Silicon Carbide Material Properties
Thermal Shock Resistance Level
Achievable Power Density Rating

애플리케이션

Compact size
Efficient power conversion
Industrial-grade quality

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer	IXYS	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Package / Case	TO-264-3
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V	Id - Continuous Drain Current	90 A
Rds On - Drain-Source Resistance	23 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	500 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	HyperFET	Series	HiPerFET
Brand	IXYS	Configuration	Single
Fall Time	30 ns	Forward Transconductance - Min	60 S
Height	26.16 mm	Length	19.96 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	80 ns
Factory Pack Quantity	25	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	75 ns
Typical Turn-On Delay Time	30 ns	Width	5.13 mm
Unit Weight	0.352740 oz

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The IXFK90N20 is a high-performance N-channel MOSFET designed for applications requiring high power density, efficiency, and reliability. With a low on-state resistance and high current capability, this chip is ideal for use in motor control, power supplies, and automotive systems. It offers robust performance and thermal characteristics, making it a versatile and dependable option for a wide range of applications.
Equivalent

Some equivalent products of IXFK90N20 chip are IRFP250N, IRFP460N, FQA28N15, IPW65R045CP, and IXTK90N20L2. These chips are power MOSFETs with similar specifications and can be used as substitutes for the IXFK90N20 in various applications.
Features

Some features of IXFK90N20 include a high voltage power MOSFET with low on-state resistance, high current capability, fast switching speed, and low gate charge. It is suitable for use in high power applications such as motor control, power supplies, and inverters.
Pinout

IXFK90N20 is a MOSFET transistor with a pin count of 3, including the gate, drain, and source pins. It is used for high-power applications, such as in power supplies and motor control circuits.
Manufacturer

IXFK90N20 is manufactured by IXYS Corporation. They are a global supplier of power semiconductors and advanced material technologies. IXYS Corporation specializes in the development and production of a wide range of power devices, including MOSFETs, IGBTs, rectifiers, and thyristors, used in various industries such as automotive, telecommunications, industrial, and consumer electronics.
Application Field

The IXFK90N20 is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as switch-mode power supplies, motor control, and high voltage DC-DC converters. It is also used in industrial and automotive applications that require high efficiency and high power handling capabilities.
Package

The IXFK90N20 chip is a silicon carbide (SiC) power MOSFET in TO-247 package. It has a form factor of TO-247 and the size of the chip is 15.5mm x 20mm.