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$5000IXFK120N65X2
Type: Ultra Junction MOSFET
브랜드: IXYS CORP
제조업체부품 #: IXFK120N65X2
데이터 시트: IXFK120N65X2 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-264-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
IXFK120N65X2 일반적인 설명
The IXFK120N65X2 product embodies a groundbreaking approach that combines the charge compensation principle with proprietary process technology to deliver unmatched performance in terms of on-state resistances, gate charges, and dv/dt characteristics. With enhanced avalanche capability, these devices exemplify ruggedness and reliability. Moreover, the inclusion of a fast soft-recovery body diode not only reduces switching losses but also mitigates electromagnetic interference, making these Ultra-Junction MOSFETs a top choice for demanding applications
특징
- Fully isolated package
- No radiation sensitivity
- No magnetic interference
애플리케이션
- Compact DC converters
- Solar-energy inverters
- Efficient PFC circuits
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Transferred |
Ihs Manufacturer | IXYS CORP | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 3500 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 650 V |
Drain Current-Max (ID) | 120 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.024 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 5.5 pF |
JEDEC-95 Code | TO-264AA | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 1250 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 240 A |
Surface Mount | NO | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING |
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