Infineon IRFB3307ZPBF
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
브랜드: Infineon Technologies Corporation
제조업체부품 #: IRFB3307ZPBF
데이터 시트: IRFB3307ZPBF Datasheet (PDF)
패키지/케이스: TO-220AB
RoHS 상태:
재고상태: 2888 PC, 새로운 원본
상품 유형: 트랜지스터
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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10 | $0.920 | $9.200 |
50 | $0.821 | $41.050 |
100 | $0.710 | $71.000 |
500 | $0.660 | $330.000 |
1000 | $0.637 | $637.000 |
In Stock:2888 PCS
IRFB3307ZPBF 일반적인 설명
N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
특징
- Industry standard through-hole power package
- High-current rating
- Product qualification according to JEDEC standard
- Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
- Softer body-diode compared to previous silicon generation
- Wide portfolio available
- Standard pinout allows for drop in replacement
- High-current carrying capability package
- Industry standard qualification level
- High performance in low frequency applications
- Increased power density
- Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application
애플리케이션
- Battery powered applications
- Power tools
- DC motor drives
- Light Electric Vehicles (LEV)
- SMPS
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
RHoS | yes | PBFree | yes |
HalogenFree | yes | Source Content uid | IRFB3307ZPBF |
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 53 Weeks, 1 Day |
Samacsys Manufacturer | Infineon | Avalanche Energy Rating (Eas) | 140 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 75 V | Drain Current-Max (ID) | 120 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0058 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-220AB | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 230 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 480 A | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | NO | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING |
배송
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지불
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부품 포인트
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The IRFB3307ZPBF is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for high-performance applications. It offers low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for power converter circuits, motor drives, and other demanding electronic systems. It is commonly used in various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics for efficient power control and management.
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Equivalent
Some equivalent products of the IRFB3307ZPBF chip are the IRFB3307PBF, IRFB3307Z, and IRFS3307ZPBF. These chips offer similar specifications and can be used as alternatives to the IRFB3307ZPBF in various applications. -
Features
The IRFB3307ZPBF is a power MOSFET transistor. It has a drain-source voltage rating of 75 volts, a maximum continuous drain current of 120 amps, and a low on-resistance of 24 milliohms. It is designed for use in various high power applications like motor control, power supplies, and inverters. -
Pinout
The IRFB3307ZPBF is a power MOSFET transistor with a TO-220AB package. It has 3 pins - gate (G), drain (D), and source (S). It functions as a switch or amplifier for high-current applications in power electronics, such as motor control, power supplies, and inverters. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the IRFB3307ZPBF. It is a German multinational semiconductor company. -
Application Field
The IRFB3307ZPBF is a power MOSFET that can be used in various applications, including motor control, power supplies, DC-DC converters, and automotive systems. It offers low on-resistance and high performance, making it suitable for applications that require high power handling and efficiency. -
Package
The IRFB3307ZPBF chip has a TO-220AB package type, a through-hole form, and a size of approximately 10.29mm x 17.9mm x 4.83mm.
데이터 시트 PDF
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