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Infineon IRF8301MTRPBF

Name: IRF8301MTRPBF
Rating: 4.5 (6 reviews)

A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MT package rated at 34 amperes optimized with low on resistance., DIRECTFET, RoHS

브랜드: Infineon Technologies Corporation

제조업체부품 #: IRF8301MTRPBF

데이터 시트: IRF8301MTRPBF Datasheet (PDF)

패키지/케이스: DirectFET™ Isometric MT

상품 유형: 개별 반도체

RoHS 상태:

재고상태: 3835 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRF8301MTRPBF 일반적인 설명

Benefits: Ultra-low RDS(on); Low Profile (less than 0.7 mm); Dual Sided Cooling Compatible; Ultra-low Package Inductance; Optimized for high speed switching or high current switch (Power Tool); Low Conduction and Switching Losses; Compatible with existing Surface Mount Techniques; StrongIRFET | Target Applications: Battery Operated Drive; Battery Protection; eFuse; Full-Bridge; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Load Switch High Side; Load Switch Low Side; ORing; Point of Load SyncFET; Push-Pull

특징

Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
Dual-side cooling capability
Low package height of 0.7mm
Low parasitic (1-2 nH) inductance package
100% lead-free (No RoHS exemption)

애플리케이션

LED
Motor control
Notebook

명세서

매개변수	값	매개변수	값
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	Source Content uid	IRF8301MTRPBF
Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Ihs Manufacturer	INFINEON TECHNOLOGIES AG	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	52 Weeks
Samacsys Manufacturer	Infineon	Additional Feature	ULTRA LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas)	260 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	30 V
Drain Current-Max (ID)	34 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0015 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-XBCC-N3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Package Body Material	UNSPECIFIED
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	CHIP CARRIER
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	89 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	250 A	Surface Mount	YES
Terminal Form	NO LEAD	Terminal Position	BOTTOM
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Series	HEXFET®	Product Status	Obsolete
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	34A (Ta), 192A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 150µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	77 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6140 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)	Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	DIRECTFET™ MT
Package / Case	DirectFET™ Isometric MT

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