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Infineon IRF640NSPBF 48HRS

This product, IRF640NSPBF, is an N-channel D2PAK MOSFET rated for 200 volts and 18 amps, with a power rating of 150 watts

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: IRF640NSPBF

데이터 시트: IRF640NSPBF Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TO-252-3

RoHS 상태:

재고상태: 2467 PC, 새로운 원본

상품 유형: 트랜지스터

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRF640NSPBF 일반적인 설명

N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK

irf640nspbf

특징

  • Low RDS(on) to minimize conduction losses
  • High current capability
  • Enhanced avalanche energy capability
  • Low input and output capacitance to reduce switching losses
  • Logic-level gate drive compatibility for easy interfacing
  • Halogen-free and RoHS compliant
  • TO-262 package for easy mounting

애플리케이션

  • Switching applications in power supplies
  • DC-DC converters
  • Motor control
  • Automotive systems
  • Industrial automation
  • LED lighting
  • Solar inverters
  • Battery management systems
  • Voltage regulators
  • Electronic ballasts

명세서

매개변수 매개변수
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TO-252-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 200 V
Id - Continuous Drain Current 18 A Rds On - Drain-Source Resistance 150 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Qg - Gate Charge 44.7 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Pd - Power Dissipation 150 W Channel Mode Enhancement
Brand Infineon Technologies Configuration Single
Fall Time 5.5 ns Height 2.3 mm
Length 6.5 mm Product Type MOSFET
Rise Time 19 ns Factory Pack Quantity 1000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type HEXFET Power MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 23 ns
Typical Turn-On Delay Time 10 ns Width 6.22 mm
Part # Aliases SP001554094

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부품 포인트

  • The IRF640NSPBF chip is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high voltage applications. It has a drain-source voltage rating of 200V and a continuous drain current of 18A. The chip features low on-resistance and is suitable for a wide range of power applications, including switching and amplification in various electronic circuits.
  • Equivalent

    Some possible equivalent products for the IRF640NSPBF chip are the IRFP640 and IRF640N. These chips are known for their similar electrical characteristics and compatibility with various applications.
  • Features

    Some features of the IRF640NSPBF MOSFET include a voltage rating of 200V, a current rating of 18A, and a low on-resistance of 0.18Ω. It also has a fast switching speed, making it suitable for power switching applications. The package type is TO-220.
  • Pinout

    IRF640NSPBF is a power MOSFET transistor. It has a pin count of 3 and is commonly used in applications such as motor control, high-power audio amplifiers, and switching power supplies. The three pins are Gate, Drain, and Source, which control the flow of current through the device.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IRF640NSPBF is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor manufacturer, specializing in the production of power semiconductor components and modules.
  • Application Field

    The IRF640NSPBF is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as switching power supplies, motor control, and audio amplifiers. It is designed to handle high voltage and current, making it suitable for various industrial and electronic applications where efficient power switching is required.
  • Package

    The IRF640NSPBF chip is packaged in a TO-263-3 (D2PAK) form with a size of 10.46mm x 9.15mm x 4.57mm.

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