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Infineon IRF2807PBF 48HRS

The IRF2807PBF is a MOSFET component engineered for robust current handling

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: IRF2807PBF

데이터 시트: IRF2807PBF Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TO-220-3

RoHS 상태:

재고상태: 2902 PC, 새로운 원본

상품 유형: 트랜지스터

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRF2807PBF 일반적인 설명

The IRF2807PBF is a power MOSFET transistor manufactured by Infineon Technologies. It features a drain-source voltage (Vdss) of 75V and a continuous drain current (Id) of 82A. This MOSFET is designed for high power applications, such as motor controls, power supplies, and inverters.The IRF2807PBF has a low on-resistance, typically 30 mΩ, which helps in reducing power losses and increasing efficiency in high current applications. It also has a fast switching speed, with a typical rise time of 30ns and fall time of 43ns, making it suitable for high frequency switching applications.This MOSFET comes in a TO-220 package, which provides good thermal performance for dissipating heat generated during operation. It has a junction-to-ambient thermal resistance of 62°C/W, ensuring reliable operation even at high power levels.The IRF2807PBF is RoHS compliant, making it environmentally friendly and suitable for use in various electronic products.

irf2807pbf

특징

  • Enhanced power MOSFET
  • Voltage rating: 75V
  • Continuous drain current: 82A
  • Low on-resistance: 8.0mΩ
  • Fast switching performance
  • Designed for high power applications
  • TO-220AB package
  • RoHS compliant
IRF2807PBF

애플리케이션

  • Switching power supplies
  • Motor control
  • DC-DC and AC-DC converters
  • Lighting applications
  • Automotive systems
  • Industrial automation
  • Robotics
  • Renewable energy
  • Battery management systems
  • Telecommunications

명세서

매개변수 매개변수
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 75 V
Id - Continuous Drain Current 82 A Rds On - Drain-Source Resistance 13 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Qg - Gate Charge 106.7 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 200 W
Channel Mode Enhancement Brand Infineon Technologies
Configuration Single Height 15.65 mm
Length 10 mm Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 1000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Width 4.4 mm
Unit Weight 0.068784 oz

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부품 포인트

  • The IRF2807PBF is a high-power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip designed for efficient switching applications. It has a maximum drain current rating of 82A and a voltage rating of 75V, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high-current applications. The chip offers low on-resistance and high switching speed, providing improved performance and reduced power losses.
  • Equivalent

    Some equivalent products to the IRF2807PBF chip include Fairchild Semiconductor's FDPF33N25, STMicroelectronics' STP33N25, and Infineon Technologies' IPP037N10N3 G. These chips have similar power MOSFET specifications and can be used as alternative options in various applications.
  • Features

    The features of the IRF2807PBF include a high current rating of 82A, low on-resistance of 0.028Ω, fast switching speed, and a voltage rating of 75V. It also has a TO-220 package, making it suitable for various power applications such as motor control, power supplies, and inverters.
  • Pinout

    The IRF2807PBF is a power MOSFET transistor with a TO-220 package. It has three pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the switching action, while the Drain pin carries the current, and the Source pin is connected to the ground. Its pin count is 3.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IRF2807PBF is Infineon Technologies. Infineon Technologies is a global semiconductor company that specializes in manufacturing and providing a wide range of products for various industries, including automotive, industrial, power, and consumer electronics.
  • Application Field

    The IRF2807PBF is a high-power N-channel MOSFET that can be used in various applications such as switch mode power supplies, motor control, solar inverters, and uninterruptible power supplies (UPS). It is suitable for high current and high voltage applications due to its low on-resistance and high power dissipation capabilities.
  • Package

    The IRF2807PBF chip is available in a TO-220AB package type, which is a standard through-hole package. It has a form of a metal tab on top for heat dissipation and three leads for connectivity. The dimensions of the package are approximately 10.31mm x 9.54mm x 4.57mm.

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