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$5000FQD11P06TM
P-Channel 60 V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
브랜드: onsemi
제조업체부품 #: FQD11P06TM
데이터 시트: FQD11P06TM 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: DPAK-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
FQD11P06TM 일반적인 설명
The FQD11P06TM MOSFET is built using a proprietary planar stripe and DMOS technology, making it a top choice for applications requiring low on-state resistance and superior switching performance. With its high avalanche energy strength, this power MOSFET is well-suited for use in switched mode power supplies, audio amplifiers, DC motor control, and variable switching power applications
특징
- High surge current (Typ. 10A)
- Low inductance (Typ. 5nH)
- Excellent temperature range (-40°C to 150°C)
애플리케이션
- Designer handbags at discount
- Electronics clearance event
- Home decor essentials
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | DPAK-3 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 9.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 185 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V | Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | QFET | Series: | FQD11P06 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | onsemi / Fairchild |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 45 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 4.9 S | Height: | 2.39 mm |
| Length: | 6.73 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 40 ns | Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Type: | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.5 ns | Width: | 6.22 mm |
| Part # Aliases: | FQD11P06TM_NL |
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부품 포인트
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The FQD11P06TM is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip designed for use in power management applications. It features a low on-resistance and high current capacity, making it ideal for use in various electronic devices that require efficient power regulation.
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Equivalent
The equivalent products of the FQD11P06TM chip are Infineon IPP60R190P6, NXP BUK9609-105A and Fairchild FDP11N40. These are MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The FQD11P06TM is a power MOSFET with a 60V drain-source voltage rating, 11A continuous drain current, and a low on-resistance of 0.06 ohms. It features a compact DPAK package, high-speed switching, and low gate charge, making it ideal for high-efficiency power supply applications. -
Pinout
FQD11P06TM is a MOSFET transistor with a pin count of 3. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, and pin 3 is the source. It is typically used in power management applications for controlling current flow. -
Manufacturer
The manufacturer of FQD11P06TM is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a semiconductor company that specializes in designing and manufacturing power management and linear integrated circuits. They provide products for various industries such as automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
FQD11P06TM is a N-channel enhancement mode power MOSFET commonly used in applications requiring high efficiency power switching, such as power supplies, motor control, and LED lighting. It can also be used in battery management systems, automotive electronics, and industrial equipment. -
Package
The FQD11P06TM chip is in a TO-252 package, with a form factor of surface mount. Its size is approximately 6.30mm x 6.30mm x 2.30mm.
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