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$5000ON DTA143ZET1G
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
DTA143ZET1G 일반적인 설명
Simplify your circuit design with the DTA143ZET1G digital transistors from this innovative series. These transistors feature built-in Bias Resistor Transistors (BRT) that effectively eliminate the need for separate resistor bias networks. The monolithic bias network within each BRT includes a series base resistor and a base-emitter resistor, providing a comprehensive solution in a single device. By implementing these digital transistors, engineers can enhance the efficiency of their electronic systems while saving valuable board space and reducing overall production costs
특징
- Advanced Signal Processing
- Improved Noise Reduction
- Enhanced Dynamic Range
애플리케이션
ONSEMI명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | DTA143ZET1G | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Part Package Code | SC-75 (SOT-416) 3 LEAD | Package Description | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 463-01, SC-75, 3 PIN |
| Pin Count | 3 | Manufacturer Package Code | 463-01 |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 37 Weeks | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 | Collector Current-Max (IC) | 0.1 A |
| Collector-Emitter Voltage-Max | 50 V | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 80 | JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | PNP |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.3 W | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON | feature-type | PNP |
| feature-configuration | Single | feature-process-technology | |
| feature-maximum-collector-emitter-voltage-v | 50 | feature-maximum-base-emitter-saturation-voltage-v | |
| feature-maximum-continuous-dc-collector-current-ma | 100 | feature-minimum-dc-current-gain | 80@5mA@10V |
| feature-typical-input-resistor-kohm | 4.7 | feature-typical-resistor-ratio | 0.1 |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 300 | feature-maximum-collector-emitter-saturation-voltage-v | [email protected]@10mA |
| feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 3 | feature-supplier-package | SOT-416 |
| feature-standard-package-name1 | SOT | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-escc-qualified | ||
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | No | feature-svhc-exceeds-threshold | No |
| Product Status | Active | Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms | Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA | Power - Max | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Supplier Device Package | SC-75, SOT-416 |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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등가 부품
에 대한 DTA143ZET1G 구성 요소인 경우 이러한 교체 및 대체 부품을 고려할 수 있습니다.:
부품 번호
브랜드
패키지
설명
부품 번호 : MUN2133LT1G
브랜드 :
패키지 :
설명 :
부품 번호 : SMUN5133T1G
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패키지 :
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부품 번호 : MMUN2133LT1G
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부품 번호 : NSBA143ZF3T5G
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부품 번호 : NSVMMUN2133LT1G
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부품 번호 : NSVDTA143ZET1G
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부품 번호 : DTA143ZM3T5G
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부품 번호 : MUN5133T1G
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