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DMN63D8LDW-7

Name: DMN63D8LDW-7
Rating: 4.5 (10 reviews)

DMN63D8LDW-7 is a package containing two N-Channel MOSFETs with a continuous drain current rating of 220mA at 30V and a power dissipation of 300mW

브랜드: Diodes Incorporated

제조업체부품 #: DMN63D8LDW-7

데이터 시트: DMN63D8LDW-7 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-363-6

RoHS 상태:

재고상태: 9,111 PC, 새로운 원본

상품 유형: FET, MOSFET Arrays

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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DMN63D8LDW-7 일반적인 설명

In the realm of automotive electronics, the DMN63D8LDW-7 MOSFET stands out as a high-quality, dual N-channel component suitable for a wide range of applications. With its 30V drain-source voltage and 260mA continuous drain current rating, this MOSFET provides robust power handling capabilities while maintaining an on-resistance of 2.8ohm at a test voltage of 10V. The threshold voltage of 1.5V and maximum operating temperature of 150°C further enhance the versatility of this component, allowing it to perform reliably in demanding automotive environments

특징

HIGH RELIABILITY

애플리케이션

SWITCHING

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-363-6	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	260 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	2.8 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	800 mV
Qg - Gate Charge	870 pC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	400 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	DMN63D8
Brand	Diodes Incorporated	Configuration	Dual
Fall Time	6.3 ns	Forward Transconductance - Min	80 mS
Product Type	MOSFET	Rise Time	3.2 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	12 ns
Typical Turn-On Delay Time	3.3 ns

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The DMN63D8LDW-7 chip is a low-power RF transceiver designed for wireless communication applications. It operates in the frequency range of 420 MHz to 475 MHz and 850 MHz to 940 MHz, making it suitable for various communication systems. This chip offers high performance, low power consumption, and reliable data transmission, making it ideal for IoT devices, remote control systems, and wireless sensor networks.
Equivalent

The equivalent products of DMN63D8LDW-7 chip are IRF644B, STD6N62K3, and STD8N80K5. These are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.
Features

DMN63D8LDW-7 is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 63V, drain current of 50A, and low on-resistance of 8 mΩ. It is designed for high efficiency power management applications, with a compact and surface-mountable DFN package.
Pinout

The DMN63D8LDW-7 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. The functions of the pins are Gate 1, Source 1, Drain 1, Source 2, Drain 2, Gate 2, NC (No Connection), and NC (No Connection). It is commonly used in power management applications.
Manufacturer

The manufacturer of DMN63D8LDW-7 is Panasonic Corporation, a multinational corporation that specializes in electronics, home appliances, and automotive products. Panasonic is a leading manufacturer known for its innovative technologies and high-quality products.
Application Field

DMN63D8LDW-7 is commonly used in high power, low resistance applications such as power management modules, load switches, and battery protection circuits in consumer electronics, automotive systems, and industrial applications. Its small footprint and low on-state resistance make it ideal for high current applications where low power dissipation is critical.
Package

The DMN63D8LDW-7 chip is in a DFN-8 package type with a size of 3mm x 3mm. It is a dual N-channel MOSFET with a maximum current rating of 2.8A and a voltage rating of 60V.