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ON BUV22G
Bipolar Transistors - BJT 40A 250V 250W NPN
BUV22G 일반적인 설명
TRANSISTOR; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250V; Transition Frequency ft: 8MHz; Power Dissipation Pd: 250W; DC Collector Current: 40A; DC Current Gain hFE: 8hFE; Transistor Case Style: TO-3; No. of Pins: 2Pins; Operating Temperature Max: 200°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.5V; Current Ic Continuous a Max: 40A; Gain Bandwidth ft Typ: 8MHz; Hfe Min: 10; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +200°C; Termination Type: Through Hole
특징
- High DC current gain: HFE min. = 20 at IC = 10 A
- Low VCE(sat): VCE(sat) max. = 1.0 V at IC = 10 A
- Very fast switching times:
TF max. = 0.35 ms at IC = 20 A - Pb-Free Package is Available
애플리케이션
ONSEMI명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | BUV22G | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Part Package Code | TO-204 (TO-3) | Package Description | CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN |
| Pin Count | 2 | Manufacturer Package Code | 197A-05 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 52 Weeks, 1 Day | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Case Connection | COLLECTOR | Collector Current-Max (IC) | 40 A |
| Collector-Emitter Voltage-Max | 250 V | Configuration | SINGLE |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 10 | JEDEC-95 Code | TO-204AE |
| JESD-30 Code | O-MBFM-P2 | JESD-609 Code | e1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
| Operating Temperature-Max | 200 °C | Package Body Material | METAL |
| Package Shape | ROUND | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Polarity/Channel Type | NPN | Power Dissipation-Max (Abs) | 250 W |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | TIN SILVER COPPER | Terminal Form | PIN/PEG |
| Terminal Position | BOTTOM | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON | Transition Frequency-Nom (fT) | 8 MHz |
| feature-type | NPN | feature-category | Bipolar Power |
| feature-material | Si | feature-configuration | Single |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-collector-base-voltage-v | 300 |
| feature-maximum-collector-emitter-voltage-v | 250 | feature-maximum-emitter-base-voltage-v | 7 |
| feature-maximum-dc-collector-current-a | 40 | feature-minimum-dc-current-gain | 20@10mA@4V|10@20A@4V |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 250000 | feature-maximum-transition-frequency-mhz | 8(Min) |
| feature-packaging | Tray | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 3 | feature-supplier-package | TO-204 |
| feature-standard-package-name1 | TO | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-military | No | |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | Yes |
| feature-svhc-exceeds-threshold | Yes |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
 |
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 |
페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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지불
| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
|---|---|---|
 |
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 |
페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
 |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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부품 포인트
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The BUV22G chip is a component used in power systems applications. It is a high-power N-channel MOSFET that provides efficient switching capabilities. The chip features low on-resistance and fast switching speed, making it suitable for applications requiring high power and reliable performance. Its compact design and thermal efficiency make it ideal for use in various power system designs.
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Features
The features of BUV22G include a high power density, low forward voltage drop, high efficiency, and low leakage current. It also has a fast switching speed, high surge capability, and is suitable for use in high-frequency applications. -
Pinout
The BUV22G is not a specific electronic component or device. Therefore, there is no defined pin count or function for it. -
Application Field
The BUV22G is a gallium nitride (GaN) transistor that is commonly used in various applications such as power converters, wireless charging systems, telecom infrastructure, and satellite communications. It offers improved efficiency, higher power density, and greater ruggedness compared to traditional silicon-based transistors, making it suitable for applications that require high levels of power and performance. -
Package
The BUV22G chip has a TO-3P package type, a discrete transistor form, and a size of TO-3P-3.
데이터 시트 PDF
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