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Infineon BSP135L6327

Name: BSP135L6327
Rating: 4.5 (10 reviews)

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

브랜드: Infineon Technologies Corporation

제조업체부품 #: BSP135L6327

데이터 시트: BSP135L6327 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: SOT223

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 2288 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSP135L6327 일반적인 설명

BSP135L6327 is a specific part number for a N-channel enhancement-mode vertical MOSFET transistor produced by Infineon Technologies.

특징

Drain-source voltage (VDS): 240 V
Continuous drain current (ID): 0.25 A
Low on-resistance (RDS(on)): 11 ohm
Fast switching speed
Low threshold voltage

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	Infineon	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details	Technology:	GaN
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	SOT-223-4
Transistor Polarity:	N-Channel	Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V	Id - Continuous Drain Current:	120 mA
Rds On - Drain-Source Resistance:	45 Ohms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	1.8 W	Channel Mode:	Depletion
Series:	BSP135	Packaging:	MouseReel
Brand:	Infineon Technologies	Configuration:	Single
Fall Time:	5.6 ns	Height:	1.6 mm
Length:	6.5 mm	Product:	MOSFET Small Signal
Product Type:	MOSFET	Rise Time:	5.6 ns
Factory Pack Quantity:	1000	Subcategory:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time:	28 ns
Typical Turn-On Delay Time:	5.4 ns	Width:	3.5 mm
Part # Aliases:	SP000089206 BSP135L6327HTSA1

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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The BSP135L6327 is a low threshold N-channel enhancement mode MOSFET chip that is commonly used in power management applications. It features a low on-resistance and a high-speed switching capability, making it ideal for various electronic devices that require efficient power handling.
Equivalent

The equivalent products of BSP135L6327 chip are NXP BSS169 / BSS170 / BF862 / BSH105 / BSR56 / BST51 / BSN27 / BSN30 / BSN12.
Features

BSP135L6327 is a N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor designed for high-speed switching applications. It has a maximum drain-source voltage of 200V, a continuous drain current of 1.3A, and low on-resistance for improved efficiency. This transistor is suitable for use in power management circuits and LED drivers.
Pinout

The BSP135L6327 is a Single N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor. It has a 3-pin SOT-223 package with the following pinout: Pin 1 - Gate (G), Pin 2 - Source (S), Pin 3 - Drain (D). It is commonly used in low voltage applications for switching and amplification purposes.
Manufacturer

The manufacturer of the BSP135L6327 is Infineon Technologies AG. Infineon is a German semiconductor company specializing in the development of innovative solutions for automotive, industrial, and digital security applications. They are known for their high-quality products, advanced technology, and commitment to sustainability in the electronics industry.
Application Field

The BSP135L6327 is commonly used in applications such as switching circuits, audio amplifiers, and signal processing. It is suitable for low voltage and low power applications, making it ideal for portable electronics, consumer devices, and industrial control systems.
Package

The BSP135L6327 chip is available in a SOT-223 package type, which is a surface-mounted transistor package. It has a surface-mount form, meaning it can be directly soldered onto a circuit board. The size of the chip is approximately 6.7mm x 5.3mm x 2.6mm.