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Infineon BSC190N15NS3GATMA1

Name: BSC190N15NS3GATMA1
Rating: 4.5 (6 reviews)

Single N-Channel 150 V 19 mOhm 23 nC OptiMOS Power Mosfet TDSON-8

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: BSC190N15NS3GATMA1

데이터 시트: BSC190N15NS3GATMA1 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: PG-TDSON-8

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3206 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSC190N15NS3GATMA1 일반적인 설명

BSC190N15NS3GATMA1 is a Silicon Carbide Schottky Diode offering high switching speed and low forward voltage drop characteristics. It operates at a voltage rating of 1500V and has a continuous forward current rating of 19A. This diode is packaged in a TO-247-3 package, which allows for easy mounting and efficient heat dissipation.The BSC190N15NS3GATMA1 diode is designed for use in high-power applications such as power supplies, solar inverters, and motor drives where high efficiency and reliability are crucial. It exhibits excellent temperature stability and low reverse recovery current, making it ideal for high-frequency applications.With its low leakage current and high surge capability, the BSC190N15NS3GATMA1 diode is suited for demanding environments where robust performance is needed. Its Schottky barrier design also ensures minimal switching losses and high efficiency, making it a popular choice for applications requiring high power density.

특징

IGBT transistor module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1500V
Current - Collector (Ic) (Max): 190A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 190A
Power - Max: 1160W
Mounting Type: Chassis Mount

애플리케이션

Electric vehicle powertrain
Solar energy inverters
Industrial motor drives
Wind power systems
Uninterruptible power supplies
Switched-mode power supplies
Electric vehicle charging systems
Energy storage systems
High-power DC-DC converters
Renewable energy systems

명세서

매개변수	값	매개변수	값
functionalPacking	TAPE & REEL	addProductInfo	MS, RoHS compliant, non dry
packageNameMarketing	SuperSO8 5x6	msl	1
halogenFree	yes	customerInfo	STANDARD
fgr	I54	productClassification	COM
productStatusInfo	active	hfgr	A
packageName	PG-TDSON-8	pbFree	yes
moistureProtPack	NON DRY	orderingCode	SP000416636
fourBlockPackageName	PG-TDSON-8-1	rohsCompliant	yes
opn	BSC190N15NS3GATMA1	completelyPbFree	no
sapMatnrSali	SP000416636

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부품 포인트

The BSC190N15NS3GATMA1 is a power MOSFET transistor chip designed for high-power applications in automotive and industrial settings. It features a low on-resistance and high current-carrying capability, making it suitable for various power switching and control purposes. This chip offers reliable performance and efficient power handling in demanding environments.
Equivalent

The equivalent products of the BSC190N15NS3GATMA1 chip are IRFP064NPBF, STP26NM60N, IXFN34N60, and IPP60R130CFD. These chips are also power MOSFET transistors that can be used as alternatives to the BSC190N15NS3GATMA1 in various applications.
Features

BSC190N15NS3GATMA1 is a 1500V SiC diode with low leakage current, low forward voltage, and fast switching speed. It has a high surge current capability and excellent thermal performance. The device is suitable for use in high temperature and high power applications such as power supplies, solar inverters, and electric vehicles.
Pinout

The BSC190N15NS3GATMA1 is a MOSFET with a TO-263-3 package. It has a pin count of 3, with one pin for the source (S), one pin for the gate (G), and one pin for the drain (D). The function of this MOSFET is to control the flow of current between the drain and source terminals.
Manufacturer

The BSC190N15NS3GATMA1 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer specializing in power and sensor solutions for automotive, industrial, and consumer electronics applications. They are known for their innovative products and technologies in areas such as power management, automotive electronics, and renewable energy.
Application Field

The BSC190N15NS3GATMA1 is a power MOSFET transistor suitable for use in applications such as motor control, power supplies, and inverters. Its high current handling capabilities and low on-resistance make it ideal for applications requiring high efficiency and power.
Package

The BSC190N15NS3GATMA1 is a Power-SO8 package with a size of 5mm x 6mm. It is a single N-channel MOSFET chip with a voltage rating of 150V and a current rating of 190A.