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Infineon BSC070N10NS3GATMA1

Name: BSC070N10NS3GATMA1
Rating: 4.5 (6 reviews)

100V N-channel MOSFET designed for automotive environments, capable of handling up to 90A of current

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: BSC070N10NS3GATMA1

데이터 시트: BSC070N10NS3GATMA1 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: PG-TDSON-8

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3614 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSC070N10NS3GATMA1 일반적인 설명

BSC070N10NS3GATMA1 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) from Infineon Technologies. It is part of the OptiMOSTM 3 family of power transistors designed for high efficiency and power density applications. This MOSFET has a maximum drain-source voltage (VDS) of 100 volts and a continuous drain current (ID) of 70 amps, making it suitable for use in a wide range of power electronics applications. It has a low on-state resistance (RDS(on)) of 0.007 ohms, which helps to minimize power losses and improve system efficiency.The BSC070N10NS3GATMA1 features an advanced OptiMOSTM 3 technology, which offers low switching losses and high switching frequencies, making it ideal for applications where high power density and efficiency are critical. Additionally, this MOSFET is designed for high temperature operation, with a maximum junction temperature of 175 degrees Celsius, ensuring reliable performance in challenging thermal environments.

특징

MOSFET transistor
700V drain-source voltage
10A continuous drain current
60mohm Rds(on) at Vgs=10V
Low gate charge
High ruggedness
Halogen-free
RoHS compliant

애플리케이션

Switched-mode power supplies
Motor control applications
DC/DC converters
Inverter and UPS systems
Industrial automation
Robotics
Renewable energy systems
Electric vehicle charging systems
LED lighting
Audio amplifiers

명세서

매개변수	값	매개변수	값
functionalPacking	TAPE & REEL	addProductInfo	MS; RoHS compliant, non dry
packageNameMarketing	SuperSO8 5x6	msl	1
halogenFree	yes	customerInfo	STANDARD
fgr	P31	productClassification	COM
productStatusInfo	active	hfgr	A
packageName	PG-TDSON-8	pbFree	yes
moistureProtPack	NON DRY	orderingCode	SP000778082
fourBlockPackageName	PG-TDSON-8-1	rohsCompliant	yes
opn	BSC070N10NS3GATMA1	completelyPbFree	no
sapMatnrSali	SP000778082

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단계5 :포장 상자
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부품 포인트

The BSC070N10NS3GATMA1 chip is a power MOSFET transistor designed for efficient power management and control in various applications. It features a low on-resistance and high switching performance, making it suitable for use in automotive, industrial, and consumer electronics. With its advanced technology and compact design, this chip offers improved power efficiency and reliability.
Equivalent

Some equivalent products to the BSC070N10NS3GATMA1 chip may include the BSC077N10NS3G, BSC078N10NS3G, and BSC079N10NS3G. These chips have similar specifications and can potentially be used as replacements or alternatives.
Features

The BSC070N10NS3GATMA1 is a power MOSFET with a drain-source voltage of 100V, maximum drain current of 70A, and low on-resistance. It offers high energy efficiency and reliable performance for various industrial applications.
Pinout

The BSC070N10NS3GATMA1 is a MOSFET transistor with a pin count of 8. Its function is to provide power switching capabilities with a low on-resistance of 7 mΩ.
Manufacturer

Infineon Technologies is the manufacturer of the BSC070N10NS3GATMA1. It is a German semiconductor company specializing in various electronic solutions, including power semiconductors, sensor systems, and automotive electronics.
Application Field

The BSC070N10NS3GATMA1 is a power MOSFET that can be used in various application areas such as power supplies, motor drives, and other high-current switching applications. It offers low on-state resistance and high switching performance, making it suitable for demanding industrial and automotive applications.
Package

The BSC070N10NS3GATMA1 chip is a MOSFET power transistor. It comes in a D2PAK package type, also known as TO-263-3, which has three pins. The approximate dimensions of the package are 10.16mm x 9.20mm x 4.57mm.